[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体元件，具备：

氮化物半导体叠层结构，其具有表面为m面的p型半导体区域；以及

电极，其形成在所述p型半导体区域的所述表面上；

所述p型半导体区域由Al_xIn_yGa_zN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0；

所述电极包括与所述p型半导体区域的所述表面相接触的Zn层。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述电极包括所述Zn层和形成在所述Zn层之上的金属层；

所述金属层由选自由Pt、Mo及Pd组成的组中的至少一种金属形成。

3.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述半导体叠层结构具有含Al_aIn_bGa_cN层的活性层，所述活性层发光，其中a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0。

4.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述p型半导体区域是p型接触层。

5.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Zn层的厚度在所述Pt层的厚度以下。

6.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

具有支撑所述半导体叠层结构的半导体基板。

7.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Zn层的至少一部分合金化了。

8.一种光源，具备：

氮化物系半导体发光元件；以及

波长变换部，其包括变换从所述氮化物系半导体发光元件放射出的光的波长的荧光物质；

所述氮化物系半导体发光元件具备：

氮化物半导体叠层结构，其具有表面为m面的p型半导体区域；以及

电极，其形成在所述p型半导体区域的所述表面上；

所述p型半导体区域由Al_xIn_yGa_zN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0；

所述电极包括与所述p型半导体区域的所述表面相接触的Zn层。

9.根据权利要求8所述的光源，其中，

所述Zn层的至少一部分合金化了。

10.一种氮化物系半导体元件的制造方法，包括：

制备基板的工序(a)；

在所述基板上形成具有表面为m面的p型半导体区域的氮化物半导体叠层结构的工序(b)；以及

在所述半导体叠层结构的所述p型半导体区域的所述表面上形成电极的工序(c)；

所述工序(c)包括在所述p型半导体区域的所述表面上形成Zn层的工序。

11.根据权利要求10所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其中，

所述工序(c)包括：

在形成了所述Zn层后，形成由选自由Pt、Mo及Pd组成的组中的至少一种金属形成的金属层的工序。

12.根据权利要求10所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其中，

在所述工序(c)中，执行加热处理所述Zn层的工序。

13.根据权利要求12所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其中，

以400℃以上、650℃以下的温度执行所述加热处理。

14.根据权利要求13所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其中，

以450℃以上、600℃以下的温度执行所述加热处理。

15.根据权利要求10至14任意一项所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其中，

包括在执行了所述工序(b)后去除所述基板的工序。

16.根据权利要求10至15任意一项所述的氮化物系半导体元件的制造方法，其中，

所述Zn层的至少一部分合金化了。