[实用新型]一种硅基OLED显示芯片像素电路结构

权利要求书

1.一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，包括：至少由读入PMOS管源极(3)以及读入PMOS管栅极以及读入PMOS管漏极(5)构成的读入PMOS管(4)、至少由PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)以及PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)构成的PIP电容器、至少由驱动PMOS管源极(15)以及驱动PMOS管栅极(13)以及驱动PMOS管漏极(16)构成的驱动PMOS管(12)、至少由写出PMOS管(19)源极(18)以及写出PMOS管(19)栅极以及写出PMOS管(19)漏极构成的写出PMOS管(19)、至少由地线保护PMOS管源极(30)以及地线保护PMOS管栅极(34)以及地线保护PMOS管漏极(32)构成的地线保护PMOS管(31)、通过读入PMOS管源极连线(2)与所述读入PMOS管源极(3)相连接的视频数据串行位线(22)、同时连接PIP上电极连线(7)和驱动PMOS管源极连线(14)的电源线(1)、通过地线保护PMOS管漏极连线(33)与所述地线保护PMOS管漏极(32)相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极(23)相连接的正相行选通线(25)、通过写出PMOS管(19)栅极连线与所述写出PMOS管(19)栅极相连接的负相行选通线(27)、与驱动电极连接线(37)相连接的OLED发光层驱动电极(38)。

2.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述PIP上电极连线(7)连接到所述PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)，所述驱动PMOS管源极连线(14)连接到所述驱动PMOS管源极(15)，所述PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)通过PIP下电极连线(10)连接到把所述读入PMOS管漏极(5)与所述驱动PMOS管栅极(13)连通的漏栅极连接线(11)上，所述驱动PMOS管漏极(16)与所述写出PMOS管(19)源极(18)通过源漏极连接线(17)相连通，所述地线保护PMOS管栅极(34)、所述地线保护PMOS管源极(30)、所述写出PMOS管(19)漏极分别通过地线保护PMOS管栅极连线(35)、地线保护PMOS管源极连线(29)、写出PMOS管(19)漏极连线与所述驱动电极连接线(37)相连接。

3.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述电源线(1)、所述正相行选通线(25)、所述负相行选通线(27)、所述OV地线沿水平方向设置，且互不相交连通。

4.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述视频数据串行位线(22)沿垂直方向设置，且与所述电源线(1)、所述正相行选通线(25)、所述负相行选通线(27)、所述OV地线互不连通。

5.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述OLED发光层驱动电极(38)由纯度超过99％的铝金属制成，且所述OLED发光层驱动电极(38)覆盖的面积不超过所述硅基OLED显示芯片像素电路结构面积的90％。