[实用新型]射频功率放大器过压保护电路

权利要求书

1.射频功率放大器过压保护电路，包括与功率放大管基极连接偏置电路，其特征在于，还包括电压检测电路及电压电流转换模块，其中电压检测电路与功率放大管电源端连接，其检测功率放大管工作电压后输出给电压电流转换模块转换为电流信号，该电流信号输出给偏置电路，由偏置电路调节功率放大管基极电流实现保护。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器过压保护电路，其特征在于：所述电压检测电路包括晶体管T_1，该晶体管T_1射极接地，集电极通过两串联的分压电阻接功率放大管电源端，基极通过限流电阻接入偏置电压；接于该晶体管T_1集电极的两分压电阻连接点作为电压检测电路输出端，该输出端连接电压电流转换模块。

3.根据权利要求2所述的射频功率放大器过压保护电路，其特征在于，所述晶体管T_1基极还接有二极管D1，二极管D1负极接晶体管T1基极，二极管D1正极接限流电阻。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器过压保护电路，其特征在于，所述电压电流转换模块包括晶体管T3、T4、T5、T6；其中晶体管T3、T4基极相连，同时射极相连且接地，晶体管T4集电极通过电阻连接偏置电路；晶体管T5集电极与T6射极相连，晶体管T5射极通过电阻与晶体管T3集电极相连，晶体管T5基极通过电阻接偏置电压；晶体管T6集电极通过电阻接功率放大管电源端，基极连接电压检测电路。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的射频功率放大器过压保护电路，其特征在于：所述偏置电路包括晶体管T2，其集电极连接电源VCB，基极通过电阻连接偏置电压，基极还通过串联的二极管接地，同时基极作为偏置电路输入端连接电压电流转换模块；晶体管T2射极通过电阻接地，同时射极作为输出端连接功率放大管基极。

6.根据权利要求1-4中任意一项所述的射频功率放大器过压保护电路，其特征在于，所述偏置电路包括晶体管T2，其集电极连接功率放大管电源，基极通过电阻连接偏置电压，基极还通过串联的二极管接地；晶体管T2射极作为输出端连接功率放大管基极，同时也连接电压电流转换模块。

7.根据权利要求1-4中任意一项所述的射频功率放大器过压保护电路，其特征在于，所述偏置电路包括电阻R4，其一端连接偏置电压，一端连接功率放大管基极，同时该端也作为输入端连接电压电流转换模块。