[实用新型]具有粘结层的铝镓铟磷系化合物半导体发光器有效
| 申请号: | 201020687102.2 | 申请日: | 2010-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN201975413U | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
| 发明(设计)人: | 吴质朴;马学进;袁彤 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥伦德科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/44;H01L33/30 |
| 代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 粘结 铝镓铟磷系 化合物 半导体 发光 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体器件,尤其涉及一种铝镓铟磷系化合物半导体发光器。
背景技术
作为市场上最炙手可热的半导体材料,铝镓铟磷材料的应用已经得到迅猛的发展。业界一般使用导电银浆把铝镓铟磷发光器固晶于金属支架上。在铝镓铟磷系发光器件结构上, N型金属层处于器件底部,再由导电银浆和支架连接,起导通作用。常规的N型金属层由欧姆接触金属层和保护金属层组成,常规的保护金属层金属组份为金。在目前的铝镓铟磷系发光器件的使用中,经常发生器件由于保护金属层和固晶银浆脱离而导致器件失效的情况,后续分析发现保护金属层的金和导电银浆热膨胀系数差异过大,在高温情况下造成保护金属层和银浆脱离接触,呈现开路现象,从而造成器件失效故障。
发明内容
本实用新型的目的是解决现有技术中N型金属层可靠性较差的技术问题,提出一种具有粘结层的铝镓铟磷系化合物半导体发光器。
为解决上述技术问题,本实用新型提出的具有粘结层的铝镓铟磷系化合物半导体发光器,包括依次层叠的N型保护金属层、N型欧姆接触金属层、N型层、铝镓铟磷有源区、P型层、P型金属层。所述的N型保护金属层的下面还设有连接层以及粘结层。
其中:所述的连接层可以由铬或镍制作;所述的粘结层由银制作。
与现有技术相比,本实用新型在N型保护金属层的下面还设有连接层以及粘结层。由于采用了高连接性能材料作为连接层,又采用了热膨胀系数和导电银浆接近的材料作为粘结层,消除了N型保护金属层和导电银浆这两种材料的热膨胀系数的较大差异,从而降低了器件和银浆剥脱的风险,提高了器件的可靠性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型作详细的说明,其中:
图1是现有技术半导体发光器件的截面示意图;
图2是本实用新型半导体发光器件的截面示意图。
具体实施方式
请参阅图1,现有的铝镓铟磷系化合物半导体发光器件包括:顺序叠加的N型保护金属层6、N型欧姆接触金属层5、N型层4、铝镓铟磷有源区3、P型层2、P型金属层1。由于N型保护金属层6的金和固晶时采用的导电银浆这两种材料的热膨胀系数差异过大,在高温情况下造成N型保护金属层和银浆脱离接触,呈现开路现象,从而造成器件失效故障。
图2显示出了本实用新型的实施例的结构,其主体结构与现有铝镓铟磷系化合物半导体发光器件基本相同,也包括顺序叠加的N型保护金属层6、N型欧姆接触金属层5、N型层4、铝镓铟磷有源区3、P型层2、P型金属层1。所不同的是:在N型保护金属层6的下面还增加设置了连接层7和粘结层8。连接层采用高连接性能的金属铬或金属镍制作,粘结层采用热膨胀系数和导电银浆接近的金属银来制作。由于采用了高连接性能材料作为连接层,又采用了热膨胀系数和导电银浆接近的材料作为粘结层,消除了N型保护金属层和导电银浆这两种材料的热膨胀系数的较大差异,从而降低了器件和银浆剥脱的风险,提高了器件的可靠性。
在半导体器件工艺过程中,通常采用金属镀膜的工艺将金属层蒸镀到半导体晶圆表面,通常N型金属层镀膜一次完成,即N型欧姆接触金属层、保护金属层、连接层和粘结层在一次镀膜工序中完成,相对于常规结构,生产工序没有大的区别。
实验证明,本实用新型发光器件的可靠性稳定提高,失效率降低万分之2(200ppm)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市奥伦德科技有限公司,未经深圳市奥伦德科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020687102.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高能量水光波磁化活水装置
- 下一篇:连续式浆液浮选净化处理机





