[实用新型]过热自我保护半导体三极管无效
| 申请号: | 201020672513.4 | 申请日: | 2010-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN201994302U | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 刘翠莲 | 申请(专利权)人: | 深圳市安晶半导体电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L23/62 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 过热 自我 保护 半导体 三极管 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及半导体三极管,更具体地说,涉及一种具有过热自我保护功能的半导体三极管。
【背景技术】
目前,公知的半导体三极管包括P型半导体、N型半导体,形成两个PN结组成的一个管芯,分别引出发射极、基极、集电极三个电极及外包封构成。工作时有发射极电流Ie,基极电流Ib,集电极电流Ic流过半导体三极管,其中基极电流Ib非常小,但控制着较大的发射极电流Ie和集电极电流Ic的大小,但是发射极电流Ie和集电极电流Ic有时因外电路出现短路或其他异常状态类的故障,导致其大于正常值,使工作中的半导体三极管产生过热而烧毁。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于针对上述技术缺陷,提供一种过热自我保护半导体三极管,该一种半导体三极管在工作中当外电路发生短路或者其他异常状态而导致三极管的发射极电流Ie、集电极电流Ic过大,管子温升过高接近半导体三极管的极限结温(150℃)时,它的基极电流Ib迅速减小趋于0,控制该管的发射极电流Ie、集电极电流Ic迅速减小,直至电路停止工作,等待管子温度降下来后又可重新开始工作,从而避免管温过高而烧毁半导体三极管。
本实用新型的技术方案如下所述:一种过热自我保护半导体三极管,包括壳体和半导体三极管管芯三个引出的发射极、基极和集电极,其特征在于,基极串接一个热敏电阻芯片,半导体三极管管芯与该热敏电阻芯片设于壳体内
根据上述结构的本实用新型,其特征还在于,热敏电阻芯片优选用一个成品的热敏电阻,用胶合剂将该热敏电阻贴粘在半导体三极管上。
根据上述结构的本实用新型,其特征还在于,热敏电阻芯片优选串联在半导体三极管的发射极。
根据上述结构的本实用新型,其特征还在于,热敏电阻芯片优选串联在集电极电路中。
根据上述结构的本实用新型,其有益效果在于,本实用新型当管子发射极电流Ie、集电极电流Ic因外电路短路或其他异常状态而增大,导致管子发热时,半导体三极管内包封的串联在基极电路中的热敏电阻芯片阻值迅速增大,基极电流Ib就会迅速减小,从而控制该管发射极电流Ie、集电极电流Ic迅速减小,使管子温升得以控制而降低,从而避免了烧毁半导体三极管乃至整个电子器具或者设备,且结构简单。
【附图说明】
附图1为本实用新型的局部立体结构图;
附图2为本实用新型的一个实施例的结构图。
在附图中,1、壳体;2、热敏电阻芯片;3、半导体三极管管芯。
【具体实施方式】
下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述:
如附图1、附图2所示,一种过热自我保护半导体三极管,包括壳体1和半导体三极管管芯3三个引出的发射极、基极和集电极,其特征在于:基极串接一个热敏电阻芯片2,半导体三极管管芯3与该热敏电阻芯片2设于壳体1内。热敏电阻芯片2优选用一个成品的热敏电阻,用胶合剂将该热敏电阻贴粘在半导体三极管上。
另外,热敏电阻芯片也可优选串联在半导体三极管的发射极上。
另外,热敏电阻芯片也可优选串联在集电极上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市安晶半导体电子有限公司,未经深圳市安晶半导体电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020672513.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电连接器
- 下一篇:单片机控制点阵液晶显示开发系统
- 同类专利
- 专利分类





