[实用新型]半导体硅集成制造工艺中硅片目检照明用的强光灯有效

专利信息
申请号: 201020670445.8 申请日: 2010-12-09
公开(公告)号: CN201934976U 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 王晓峰;陈广宏 申请(专利权)人: 扬州晶新微电子有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V29/02;F21V19/00;F21V17/00;F21V23/06;F21V5/04;H01L21/00
代理公司: 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 代理人: 孙忠明
地址: 225009 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 集成 制造 工艺 硅片 照明 强光
【权利要求书】:

1.半导体硅集成制造工艺中硅片目检照明用的强光灯,包括光源(2),其特征是,该强光灯还包括轴流风扇(1)、凸透镜、遮光筒(7)以及两端开口的外壳(3),其中,所述轴流风扇(1)和遮光筒(7)分别设置在所述外壳(3)的两端,所述光源(2)和凸透镜位于所述外壳的内部,所述光源(2)通过第一支架(8)固定,所述凸透镜通过第二支架(9)沿所述光源(2)的光线方向与该光源(2)间隔设置,以通过该凸透镜将所述光源(2)发射的光线转换成平行光线,所述光源(2)能够通过电线(10)经由降压变压器连接于外部电源,所述轴流风扇(1)的吹风方向与所述光源(2)的光线方向相反。

2.根据权利要求1所述的强光灯,其特征是,所述凸透镜包括相向贴合的两个单面凸透镜(4)。

3.根据权利要求2所述的强光灯,其特征是,所述单面凸透镜(4)的焦距为80mm,镜面直径为55mm。

4.根据权利要求1所述的强光灯,其特征是,所述光源(2)与所述轴流风扇(1)之间设有多孔隔离网(6)。

5.根据权利要求1所述的强光灯,其特征是,所述外壳(3)上还设有通风孔(11)。

6.根据权利要求1所述的强光灯,其特征是,所述外壳(3)的内部还设有耐高温插座(5),所述光源(2)经由该耐高温插座(5)与所述电线(10)连接。

7.根据权利要求6所述的强光灯,其特征是,所述耐高温插座(5)为陶瓷插座。

8.根据权利要求1所述的强光灯,其特征是,所述光源(2)采用12V/100W的卤素灯杯泡。 

9.根据权利要求1所述的强光灯,其特征是,所述轴流风扇(1)的工作电压为100V。 

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