[实用新型]抗射频干扰的电容式麦克风装置

说明书

【技术领域】

本实用新型属于电容式麦克风技术领域，特别是一种利用RC电路(相移电路)作为过滤高频噪声的抗射频干扰的电容式麦克风装置。

【背景技术】

随着3C电子产品的蓬勃发展，电容式麦克风对于声音的转换性能要求相对地越来越高，特别是当电容式麦克风装置在通讯产品上，碍于通讯产品会产生射频信号，而使电容式麦克风易产生噪音，为了解决这样的问题，一般解决的方式通常为在结面型场效晶体管(JFET)的汲极与源极之间提供一并联电容以作为滤波器，用以屏蔽射频信号以降低噪音。

后来，有业者发展出如图1所示的现有电容式麦克风装置，包括一对由声振而引起电压变化的电极EL，电极EL的两端分别连接一带正电压的A接点和一带负电压的B接点，一用于缓冲放大电极EL两端上电压的结面型场效晶体管JFET，结面型场效晶体管JFET包括连接电极EL之闸极G、连接A接点之汲极D和连接B接点之源极S，两并联电容C1、C2分别一端连接到A接点，另一端连接到B接点，以及一电感L设置在A接点与汲极D之间，藉由电感L在高频时的阻抗大，进而衰减射频干扰，增加滤波效果。

然而前述电容式麦克风装置，并无静电防护的功能，因此无法避免产品受到静电所造成的劣化与损伤，再者，电容式麦克风所利用电感L并无法过滤非必要的讯号进入麦克风，使得其滤波效果并非较佳，同时碍于单一电感L的成本高，使得整体电容式麦克风价格不易为产业广泛接受，因此尚有改善的空间。

【实用新型内容】

有鉴于上述课题，本实用新型的目的在于提供一种具有RC电路的电容式麦克风装置，其利用RC电路的设置，以阻隔高频噪声进入装置内，进而达到抗射频干扰的目的，解决现有技术存在的缺陷。

为实现上述目的，本实用新型所述的一种抗射频干扰之电容式麦克风装置，其包括有一电极、一场效晶体管、一并联电容、一过滤电阻及一RC电路。电极一端连接于一输出端，另一端连接于一接地端，场效晶体管具有一闸极、一源极和一汲极，闸极与电极连接，源极连接于接地端，汲极连接于输出端，并联电容设置于输出端与接地端之间，且分别连接于电极的两端，过滤电阻设置于场效晶体管的闸极与电极之间，过滤噪声进入电容式麦克风装置内，RC电路跨设在输出端与接地端之间，阻隔高频讯号进入该电容式麦克风装置内。

本实用新型所述的抗射频干扰的电容式麦克风装置，可将并联电容及过滤电阻与场效晶体管集成，使得电容式克风装置减少Layout空间，达到产品微型化的目的。

此外，本实用新型所述的抗射频干扰的电容式麦克风装置，其场效晶体管旁可设置二极管，作为静电防护，以确保零组件的性能不致于受静电而损伤。

【附图说明】

图1为现有技术中的电容式麦克风装置电路结构示意图。

图2为实施例1所述的抗射频干扰的电容式麦克风装置的电路示意图。

图3为图2部份电路整合为一集成电路的示意图。

图4为实施例2所述的抗射频干扰的电容式麦克风装置电路示意图。

图5为图4部份电路整合为一集成电路的示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图和具体实施例，对本实用新型所述的抗射频干扰的电容式麦克风装置作进一步说明。

【主要组件符号说明】

实施例1

图2为本实用新型所述的抗射频干扰的电容式麦克风装置的实施例电路示意图。电容式麦克风装置包括一电极EL、一场效晶体管FET、一过滤电阻R1、一对并联电容C1、C2及一RC电路。电极EL一端连接于输出端Term 1，另一端连接于接地端Term 2；场效晶体管FET连接在输出端Term1与电极EL之间，其具有一闸极G连接于电极EL，一汲极D连接于输出端Term 1，一源极S连接于接地端Term 2；并联电容C1、C2跨设在输出端Term 1与接地端Term 2之间，且并联电容C1、C2的电容值可依需求设定；过滤电阻R1设置在电极EL与场效晶体管FET之间，用以过滤非必要的噪声进入电容式麦克风内；RC电路设置在输出端Term 1与接地端Term 2之间，RC电路包括一电阻R2及一电容C3，其中电阻R2连接在场效晶体管FET与输出端Term 1之间，而电容C3则跨设在输出端Term 1与接地端Term 2之间，此RC电路容许低频信号通过，但可阻隔高频讯号进入电容式麦克风，本实施例所述电容式麦克风装置具有较佳的消除射频干扰及降低噪音的功效，同时因为采用较广泛的低成本零件，故具有产业上的竞争优势。