[实用新型]离子源弧室无效
| 申请号: | 201020662788.X | 申请日: | 2010-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN202094079U | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
| 发明(设计)人: | 林义鹏;武大柱;周长银 | 申请(专利权)人: | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
| 地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 离子源 | ||
1.一种离子源弧室,包括盖板及具有容置空间的弧室壁,所述容置空间具有一开口,其特征在于,所述离子源弧室还包括尺寸与所述盖板匹配的垫片,所述垫片与所述盖板重叠后盖设于所述开口处,所述盖板中间部位开设有盖板孔,所述垫片与所述盖板孔相对应的位置开设有垫片孔,所述垫片孔的尺寸小于所述盖板孔的尺寸,使离子束通过所述垫片孔时被所述垫片所遮挡。
2.如权利要求1所述的离子源弧室,其特征在于,所述盖板与所述垫片重叠后所述盖板设置于远离所述容置空间的一侧。
3.如权利要求1所述的离子源弧室,其特征在于,所述弧室壁包括底板、设置在所述底板上并与所述底板围成容置空间的侧壁。
4.如权利要求1所述的离子源弧室,其特征在于,所述垫片厚度为0.6~0.8mm。
5.如权利要求4所述的离子源弧室,其特征在于,所述垫片厚度为0.7mm。
6.如权利要求1所述的离子源弧室,其特征在于,所述垫片孔为长条状,其尺寸为4.85mm×2.2mm×0.6mm。
7.如权利要求1所述的离子源弧室,其特征在于,所述盖板孔为梯形孔,所述盖板孔靠近所述容置空间的开口尺寸较大,而远离所述容置空间的开口尺寸较小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳深爱半导体股份有限公司,未经深圳深爱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020662788.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





