[实用新型]一种高调谐线性度的VCO无效
申请号: | 201020662769.7 | 申请日: | 2010-12-16 |
公开(公告)号: | CN201904758U | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 文光俊;李方硕;杨拥军 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03B1/04 | 分类号: | H03B1/04;H03L7/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调谐 线性 vco | ||
1.一种高调谐线性度的VCO,其特征在于,包括控制电压信号处理单元和奇数个时延单元,所述时延单元包括第一调谐电压信号端口、第二调谐电压信号端口,所述控制电压信号处理单元包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电压源和调谐控制电压信号端口,所述第一NMOS管的漏极连接第一电压源,第二NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极并相连接,并与第一NMOS管的源极和第一PMOS管的栅极连接;所述第二NMOS管的源极接地;所述第一PMOS管的源极与第一电压源连接,第一PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极连接;所述第三NMOS管的漏极与第三NMOS管的栅极连接,第三NMOS管的源极接地;所述第一NMOS管的栅极连接于调谐控制电压信号端口;所述控制电压信号处理单元的第一PMOS管的栅极与奇数个时延单元的第一调谐电压信号端口连接;所述控制电压信号处理单元的第三NMOS管的栅极与奇数个时延单元的第二调谐电压信号端口连接。
2.根据权利要求1所述的高调谐线性度的VCO,其特征在于,时延单元还包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一电容、输入信号端口、输出信号端口;所述第二PMOS管的源极连接第一电压源,第二PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极和第三PMOS管的漏极;所述第四NMOS管的源极接地;所述第三PMOS管的源极连接第一电压源,第三PMOS管的栅极和第三PMOS管的漏极连接,第三PMOS管的漏极通过第一电容接地;所述第五NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接,第五NMOS管的源极接地;所述第二PMOS管的栅极连接于第一调谐电压信号端口;所述第四NMOS管的栅极连接于第二调谐电压信号端口;所述输入信号端口与第五NMOS管的栅极连接;所述输出信号端口与第三PMOS管的漏极连接。
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