[实用新型]一种用于等离子体蚀刻室的边环装置部件

权利要求书

1.一种用于等离子体蚀刻室中的边环装置部件，其中介电耦合环适于包绕所述等离子体蚀刻室中的基底支撑物，导电边环适于包绕并且被支撑在所述介电耦合环上，以便被支撑在所述基底支撑物上的基底比所述导电边环凸出一部分，其特征在于：

所述介电耦合环，其具有：内圆柱表面，其直径在11.6至11.7英寸之间，高度在0.49至0.50英寸之间；外圆柱表面，其直径在13.2至13.3英寸之间，高度在0.39至0.40英寸之间，并且与所述内圆柱表面同轴；下表面，其与所述外圆柱表面的中心轴垂直，并从所述外圆柱表面的下边缘延伸直至所述内圆柱表面的下边缘；上表面，其与所述外圆柱表面的所述中心轴垂直，并从所述外圆柱表面的上边缘向内延伸；环形凸出部分，其从所述内圆柱表面的上边缘向外延伸，并从所述上表面的内边缘向上延伸，所述环形凸出部分的高度在0.09至0.11英寸之间，宽度在0.04至0.05英寸之间；和/或

所述导电边环，其具有：内圆柱表面，其直径在11.7至11.8英寸之间，高度在0.095至0.105英寸之间；外圆柱表面，其直径在13.35至13.45英寸之间，高度在0.10至0.11英寸之间，并与所述内圆柱表面同轴；下表面，其与所述内圆柱表面的中心轴垂直，并从所述内圆柱表面的下边缘向外延伸，延伸距离在0.7至0.8英寸之间；上表面，其与所述外圆柱表面的中心轴垂直，并从所述外圆柱表面的上边缘向内延伸，延伸距离在0.5至0.6英寸之间；第一环形表面，其宽度在0.04至0.05英寸之间，与所述内圆柱表面的所述中心轴垂直，并从所述内圆柱表面的上边缘向外延伸；截头圆锥表面，其张角在119°至121°之间，宽度在0.20至0.22英寸之间，与所述内圆柱表面同轴，并从所述第一环形表面的外边缘向上和向外延伸至所述上表面 的内边缘；第二环形表面，其宽度在0.065至0.075英寸之间，与所述外圆柱表面的所述中心轴垂直，并从所述外圆柱表面的下边缘向内延伸；圆柱表面，其高度在0.085至0.095英寸之间，与所述外圆柱表面同轴，并从所述第二环形表面的内边缘延伸至所述下表面的外边缘。

2.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述介电耦合环进一步包括位于所述上表面和所述下表面之间的阶梯通孔，所述阶梯通孔由上圆柱穿孔和下圆柱穿孔组成，所述上圆柱穿孔和所述下圆柱穿孔同轴；

所述上圆柱穿孔和下圆柱穿孔的中心轴与所述介电耦合环的中心轴平行，并且与所述介电耦合环的所述中心轴的径向距离在6.1至6.2英寸之间；

所述上圆柱穿孔的直径在0.40至0.45英寸之间，深度在0.20至0.21英寸之间；

所述下圆柱穿孔的直径在0.20至0.25英寸之间，深度在0.18至0.20英寸之间。

3.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述介电耦合环由石英或陶瓷材料或者聚合材料组成。

4.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述导电边环进一步包括统一直径在0.29至0.31英寸之间的通孔，其中所述通孔的中心轴与所述导电边环的中心轴平行，并且与所述导电边环的中心轴的径向距离在6.1至6.2英寸之间。

5.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述导电边环由掺硼单晶硅组成。 

6.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，当所述导电边环安装在所述介电耦合环上时，所述导电边环的所述第一环形表面与所述介电耦合环的所述凸出部分的上表面是共延的。