[实用新型]一种复位电路

权利要求书

1.一种复位电路，其特征在于，所述复位电路包括上电复位电路和掉电复位电路；

所述上电复位电路包括第一、二、三场效应管，第一、二二输入与非门，第一、二、三非门，一缓冲器，一或门，第一、二电容以及一缓冲延迟模块；第三场效应管源极接VCC，其栅极与漏极接在一起形成二极管结构接第一电容一端，第一电容另一端接地；第一二输入与非门的一个输入端为第三场效应管的漏极；第一二输入与非门的输出分别接第一场效应管的栅极与缓冲器的输入端，第一场效应管的源极接VCC，漏极与第二场效应管的源极相连；第二场效应管的漏极接地....第二场效应管的栅极接第一非门的输出；缓冲器输出端接第二与非门的一个输入端，第二非门的输出经缓冲延迟模块后作为第二与非门的另一个输入，第二与非门的输出分别接第二非门、第三非门和或门的输入端，第三非门的输出同时经第二电容接地接或门的另一输入端；或门的输出反馈输入至第一二输入与非门的一输入端和第一非门的输入端；复位信号经第二非门输出端输出；

所述掉电复位电路包括第四至第十场效应管，第四非门和一缓冲模块，第四、五场效应管的栅极接地，第四场效应管的源极接VCC，其漏极与第五场效应管的源极相连；第五场效应管的漏极与第六场效应管的源极、缓冲模块的输入端相接，第六至第十场效应管的栅极接VCC，第六场效应管的漏极与第七场效应管的源极相接，第七场效应管的漏极与第八场效应管的源极相接，第八场效应管的漏极与第九场效应管的源极相接，第九场效应管的漏极与第十场效应管的源极相接，第十场效应管的漏极接地；缓冲模块的输出经第四非门后输出。

2.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述第一、三场效应管为PMOS管，第二场效应管为NMOS管。

3.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述第四、五场效应管为PMOS管，第六至第十场效应管为NMOS管。