[实用新型]带选择性黑氧化层的引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体元件的基础材料的技术领域，具体讲是一种用于装载芯片并加以塑封的带选择性黑氧化层的引线框架。

背景技术

引线框架是制作生产半导体元件的基础材料，一般制作引线框架的基材为铜合金。在引线框架上装载芯片和打导线之后，利用树脂塑封料对芯片加以包封，形成一整体的半导体元件，由此可知，包封区域只占引线框架一部分。为加强对芯片的保护，防止水汽对芯片的侵蚀，塑封料和引线框架间的结合力越大越好，因此，通常会对引线框架的铜表面做化学药水处理，形成一层黑氧化层，加大表面粗糙度，从而增强和塑封料的结合力。而现有技术中都是对引线框架的整体做表面黑氧化处理，消耗的化学药水多，而塑封料的溢料部分也会和引线框架上的非包封区域结合，在引线框架的客户使用端，不容易去除残胶，且由于黑氧化层为绝缘体，还需要对引线框架的非包封区域做退黑氧化层的处理，较为繁琐且成本很高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种节省成本且使用方便的用于装在芯片并加以塑封的带选择性黑氧化层的引线框架。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的带选择性黑氧化层的引线框架，它包括设有包封区域的引线框架主体，所述的引线框架主体上设有黑氧化层，所述的黑氧化层仅覆盖引线框架主体上的包封区域。

采用以上结构后，本实用新型引线框架与现有技术相比，具有以下优点：

在引线框架上选择性的设置黑氧化层(即带选择性的黑氧化层)，只在引线框架主体上的黑氧化层仅覆盖包封区域，引线框架主体上的其余部分没有黑氧化层，这样，既能节省化学药水，又能避免在客户端进行退黑氧化层处理的工序，使用较为简便，而且即使塑封料的溢料与引线框架主体的其余部分结合，也会由于其结合力不强而很容易去除，不管是生产成本还是使用成本均较低。

附图说明

附图为本实用新型带选择性黑氧化层的引线框架的结构示意图；

其中，1、引线框架主体；2、包封区域；3、黑氧化层；4、芯片部；5、小焊点；6、散热部；7、管脚。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

如附图所示，本实用新型的带选择性黑氧化层的引线框架，它包括设有包封区域2的引线框架主体1，所述的引线框架主体1一般都包括芯片部4、小焊点5以及管脚7，上述的引线框架主体1上设有黑氧化层3，这里包封区域2是指芯片安装之后，引线框主体1上必须用塑封料进行包封的区域。黑氧化层是指在铜面长许多的由氧化铜和氧化亚铜组成的黑须。黑氧化层具有较大粗糙度，可以提高塑封料与引线框架主体1的结合力。

在本实用新型中，上述的黑氧化层3仅覆盖引线框架主体1上的包封区域2，引线框架主体1上无需用塑封料包封的区域没有黑氧化层3。

通常来说，上述的的包封区域2包括芯片部4和小焊点5，芯片部4与管脚7之间的连接段上位于两个小焊点5之间的部分也设有黑氧化层3。在行业常用的部分型号的引线框架中，芯片部4的背面暴露在塑封料外，行业称为半包封引线框架，这些型号的芯片部4的背面不在包封区域2内，不设黑氧化层3。例如行业通用型号TO-251/252，该型号的引线框架属于半包封引线框架，所述芯片部4的背面暴露在包封塑料外，不在包封区域2内，不设黑氧化层3。另外，如果在芯片部4和小焊点5上有电镀层，如银或镍，则因为黑氧化处理药水只与铜发生反应，电镀层不受影响，也不会覆盖上黑氧化层3。

作为常规的公知常识，有些型号的引线框架上设有散热部6，而有些型号则没有设置散热部6，很显然，本实用新型的技术方案均均适用。如本实施例中的引线框架主体1上就设有散热部6。

用化学药水对引线框架主体1进行处理形成黑氧化层3的工艺为常规技术，在此不再累述。

上述实施例只是本实用新型的较佳实施例，不可看成是对本实用新型保护范围的限制，本实用新型的具体结构允许有变化，它适用于领域所有通用型号的引线框架。