[实用新型]一种晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造工艺，尤其涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。一般说来，在半导体的整个制造工艺中，高达20％的步骤为清洗步骤，清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，以至于影响半导体器件的性能和合格率。

在目前半导体器件的制造工艺中，常采用化学机械研磨来进行金属或介质膜的整体平整。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技术是机械研磨和化学反应组合的技术，化学机械抛光技术借助超微粒的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用，在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的平面。化学机械抛光技术是集成电路(IC)向细微化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物，已经成为半导体制造行业的主流技术，也是晶片向200mm、300mm乃至更大的直径过度、提高生产效率、降低制造成本以及衬底全局化平坦化必备的工艺技术。

在化学机械研磨工艺中会使用到研磨浆料，例如二氧化铈、氧化铝、或者气体或胶态二氧化硅之类的颗粒，以及适用于化学机械研磨处理的表面活性剂、侵蚀剂和其他添加剂。在化学机械研磨处理后，由抛光浆料的颗粒、添加至浆料中的化学品、以及抛光浆料的反应产生物所构成的污染物会留在晶圆的表面上。这些污染物必须在进入到下一个工艺之前都清洗干净，以避免降低器件的可靠性，以及对器件引入缺陷。

图1为现有技术中晶圆清洗装置的结构示意图。如图1所示，在现有清洗设备中，包括清洗槽20，配置与所述清洗槽20内的晶圆清洗刷22和转动控制装置，所述转动控制装置包括至少三个滚轴24，所述滚轴24一端固定在所述清洗槽20，另一端设置晶圆支撑部，所述晶圆支撑部放置晶圆10。在清洗过程中，抓取晶圆10放入清洗槽20中，放置在晶圆支撑部，所述滚轴24同向同速转动，带动晶圆10自身旋转，并利用清洗刷22进行刷洗。长时间工作后，如果其中某一滚轴24发生损坏，导致支撑部无法固定晶圆24，会使晶圆24位置偏移导致后续抓取晶圆24过程中损伤晶圆24，甚至晶圆24在转动过程中滑脱，导致晶圆24划伤甚至损坏，如果晶圆24转动机构发生故障无法转动晶圆24时，清洗工作将无法顺利进行下去，甚至损伤晶圆24。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，在晶圆清洗过程中，避免转动控制装置的滚轴发生损坏时，晶圆偏移甚至滑脱导致晶圆划痕破损的问题。

本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括清洗槽，和配置于所述清洗槽内的晶圆清洗刷，转动控制装置，其中所述转动控制装置包括圆弧形保护槽和至少三个完全相同的滚轴，所述滚轴的一端固定于清洗槽，另一端设置有晶圆支撑部，所述圆弧形保护槽固定于所述晶圆支撑部外围，所述圆弧形保护槽与所述晶圆相适配。

进一步的，所述晶圆支撑部包括两圆形挡板和转轴，所述两圆形挡板平行固定在所述转轴上，所述两圆形挡板之间放置晶圆。

进一步的，所述圆弧形保护槽底部设置有压力探测装置，所述压力探测装置与报警装置信号相连。

进一步的，所述圆弧形保护槽底部设有若干漏液孔。

进一步的，所述圆弧形保护槽的材料为耐腐蚀材料。

进一步的，所述晶圆清洗装置还包括进液装置，配置于所述清洗槽内上方。

综上所述，本实用新型所述晶圆清洗装置在清洗过程中，如果转动控制装置的某一滚轴发生故障时，晶圆会滑入圆弧形保护槽中，防止晶圆滑脱摔出划痕或破损，同时所述压力探测装置会及时发出报警信号给报警装置，及时通知技术人员，停止工作进行维修，从而提高工作稳定性和效率。

附图说明

图1为现有技术中晶圆清洗装置的结构示意图。

图2为本实用新型一实施例中晶圆清洗装置的结构示意图。

图3为本实用新型一实施例中所述转动控制装置的侧面剖视图。

具体实施方式

为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。

其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。

本实用新型的核心思想是：本实用新型要解决的技术问题是，在晶圆清洗过程中，避免转动控制装置的滚轴发生损坏时，晶圆偏移甚至滑脱导致晶圆划痕破损的问题。