[实用新型]TM模介质滤波器无效

专利信息
申请号: 201020643211.4 申请日: 2010-12-06
公开(公告)号: CN201966312U 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 孟庆南;钟伟刚 申请(专利权)人: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
主分类号: H01P1/207 分类号: H01P1/207
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 黄行军
地址: 430205 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: tm 介质 滤波器
【权利要求书】:

1.TM模介质滤波器,包括金属谐振腔、盖板、调谐螺钉和TM模介质谐振器,所述TM模介质谐振器通过螺钉固定在金属谐振腔内,其特征是,所述螺钉的丝杆部分穿过TM模介质谐振器的定位孔拧紧在金属谐振腔的底部或侧壁上,螺钉的丝杆部分不与上述定位孔孔壁接触,所述螺钉的头部与TM模介质谐振器的定位孔端面之间设有将二者隔开的过渡垫圈。

2.根据权利要求1所述的TM模介质滤波器,其特征是,所述过渡垫圈的Q*F值为50000~700000,介电常数为2~25,其中F为频率(GHz)。

3.根据权利要求2所述的TM模介质滤波器,其特征是,所述过渡垫圈厚度为1.5-5mm。

4.根据权利要求2所述的TM模介质滤波器,其特征是,所述过渡垫圈厚度为3mm。

5.根据权利要求2所述的TM模介质滤波器,其特征是,所述过渡垫圈采用氧化铝、硅酸锌、硅酸镁、铌酸镁、铝酸锌、铝钛锌、钨酸钙、钙锌钽钛、镁钨酸钡、钽酸镁、钡铜镍酸钇、钡镁钨钛、钡锌酸钇、钡锌铜酸钇铌、钛酸钴镁、钛酸镁、镁钽钛材料或其化合物所集成的高Q低介电材料。

6.根据权利要求1-5中至少一项所述的TM模介质滤波器,其特征是,所述TM模介质滤波器包括带通滤波器、带阻滤器。

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