[实用新型]一种大功率LED

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种大功率LED(发光二极管)。

背景技术

随着LED(Light Emitting Diode，发光二极管)技术的发展，LED替代传统的CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp，冷阴极萤光灯管)作为LED TV(液晶电视)的背光光源已是大势所趋，尤其是将LED应用于大尺寸液晶电视的背光光源方面上。

如图1至4所示，现有技术中的一种大功率LED，包括基板1、保护二极管3和LED芯片4，基板1的正面设置有一个凹形的腔体2，在该腔体2的底面间隔铺设有第一金属区60、第二金属区61和第三金属区62，第一金属区60和第三金属区62位于第二金属区61的两侧且第二金属区61位于腔体2的中部；实际中，保护二极管3固定在第一金属区60中，保护二极管3的电极通过金线7与第三金属区62导通；LED芯片4固定在第二金属区61的中部，LED芯片4的两个电极分别通过金线与第一金属区60和第三金属区62导通。在上述结构的基础上，在基板1的背面间隔设置有第一电极50、第二电极51和第三电极52；第一电极50和第三电极52为通电电极并且位于第二电极51的两侧；第二电极51为散热电极，其面积略大于第二金属区61的面积且位于基板1背面正对第二金属区62的位置；第一电极50、第二电极51和第三电极52分别与第一金属区60、第二金属区61和第三金属区63导通，导通的方式可以是在基板内部走线导通或直接在金属区的基板中开设贯通到电极的通孔，向通孔中填充银等导电介质导通。上述结构，在第一电极50和第三电极52通电时，可以实现保护二极管3和LED芯片4的反向并联。

上述结构的LED，第二金属区61适用于固定如图1所示的带电极、需要通过引线键合的方式实现电连接的LED芯片；不适用于固定免打线形式的LED芯片，比如倒装芯片(FLIP CHIP)或三维(3d)芯片等。

发明内容

本实用新型要解决的主要技术问题是，提供一种适用于固定倒装芯片或三维芯片等免打线形式的大功率LED。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种大功率LED，包括LED芯片，带腔体的基板，设置在所述腔体底部的金属区和设置在所述基板背面的电极区，所述金属区包括固晶区，所述固晶区包括第三金属区和第四金属区，所述LED芯片两端分别固定在所述第三金属区和第四金属区，所述电极区包括分别与所述第三金属区和第四金属区导通的第三电极和第四电极。

还包括保护二极管，所述金属区还包括第一金属区和第二金属区，所述第一金属区、第二金属区都位于所述固晶区的同一侧；所述保护二极管固定在所述第二金属区，且通过金线与所述第一金属区导通；所述电极区还包括分别与所述第一金属区和第二金属区导通的第一电极和第五电极。

所述腔体包括固晶腔室和第一腔室，所述固晶区设置在所述固晶腔室的底部，所述第一金属区和第二金属区设置在所述第一腔室的底部。

所述LED芯片为倒装芯片或三维芯片。

所述LED芯片为双电极芯片，所述金属区还包括与所述第五电极导通的第五金属区，所述第五金属区与所述第一金属区分别位于所述固晶区的两侧，所述LED芯片的两个电极分别通过金线与所述第一金属区和第五金属区导通。

所述腔体包括相互间隔的固晶腔室以及布在所述固晶腔室两侧的左腔室和右腔室，所述固晶腔室、左腔室和右腔室的顶部相互贯通，所述第一金属区和第二金属区设置在所述左腔室底部，所述固晶区设置在所述固晶腔室底部，所述第五金属区设置在所述右腔室底部。

所述腔体中还填充有胶体，所述固晶腔室中填充的腔体为荧光胶。

所述腔体中除固晶腔室以外的部分填充的胶体为透明胶。

所述基板为硅基板或陶瓷基板。

所述基板为方形基板，所述方形的长宽比例在1.5～3.5之间。

本实用新型的有益效果是：腔体底面设置有两个相互独立的金属区，LED芯片的两端固定在这两个金属区上。同时，该两个金属区分别与不同的电极导通，当LED芯片为倒装芯片或三维芯片时，通过在两个电极上施加电压，就可以实现给LED芯片供电，使其发光的目的。

附图说明

图1为现有中一种大功率LED的结构示意图；

图2为图1所示结构的V-V向剖面图；

图3为图1去除LED芯片和引线后的俯视图；

图4为图1所示仰视图；

图5为本实用新型一种实施方式中去除LED芯片和引线的后基板正面图；

图6为本实用新型一种实施方式中的基板背面示意图；

图7为本实用新型一种实施方式中的大功率LED结构示意图；