[实用新型]晶体成长装置

权利要求书

1.一种晶体成长装置，其特征在于，所述的装置包含：

一坩埚，其系用于承载原料；

一移动式顶部加热器，其系设置于所述的坩埚的上方，并可相对于所述的坩埚上下移动；及

至少一入料口。

2.如权利要求1所述的晶体成长装置，其特征在于，所述的装置进一步包含一槽体，所述的槽体设有一周壁，所述的周壁设有所述的至少一入料口，并定义出一内部空间以容纳所述的坩埚及所述的移动式顶部加热器。

3.如权利要求2所述的晶体成长装置，其特征在于，所述的装置包含两个设置于所述的槽体的周壁的入料口。

4.如权利要求1所述的晶体成长装置，其特征在于，所述的装置进一步包含一设置于所述的坩埚侧边的侧边加热器。

5.如权利要求4所述的晶体成长装置，其特征在于，所述的侧边加热器及/或所述的移动式顶部加热器为电阻式加热器或感应式加热器。

6.如权利要求1所述的晶体成长装置，其特征在于，所述的坩埚的材质为石英或金属。

7.如权利要求6所述的晶体成长装置，其特征在于，所述的金属为铱、铂或钼。

8.如权利要求1所述的晶体成长装置，其特征在于，所述的坩埚的表面系涂覆有氮化硅，并经烧结处理。

9.如权利要求1所述的晶体成长装置，其特征在于，所述的槽体的内部空间的底部设有一石墨防漏盘及一玻璃纤维毡。