[实用新型]用于清洗仪表探头的气洗装置及氢氟处理系统有效
| 申请号: | 201020639425.4 | 申请日: | 2010-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN201940399U | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
| 发明(设计)人: | 王兴宇;张云秀;赵记;杨文俊;厉晓华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | B08B5/02 | 分类号: | B08B5/02;C02F1/58;C02F101/14 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 清洗 仪表 探头 装置 处理 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种气洗装置及氢氟处理系统,尤其涉及一种用于清洗仪表探头的气洗装置及氢氟处理系统。
背景技术
目前,在半导体生产企业,通常用氢氟处理系统来处理晶圆厂(FAB)产生的含氢氟酸的废水。请参见图1,现有的氢氟处理系统包括两个反应罐即前反应罐1和后反应罐2,所述前反应罐1的输出口和后反应罐2的输入口相接。每个反应罐中设有CaCL2输入管5、NaOH输入管6、pH值仪表探头41和F-离子仪表探头42。现有的氢氟处理系统还包括一促凝反应罐3,所述促凝反应罐3的输入口和所述后反应罐2的输出口相接,所述促凝反应罐3内设有PAM输入管7。聚丙烯酰胺聚丙烯酰胺(Polyacrylamide)简称PAM,具有促进CaF2沉淀快速沉降下来的作用。
在氢氟处理系统中处理氢氟酸废水的关键是去除废水中的F-离子。其主要处理机理是调节进水的pH值至合适值,然后,加入大量的CaCL2,使Ca2+离子与水中F-离子结合,生成CaF2沉淀,从而去除水中F-离子。反应式如下:
Ca2++2F-=CaF2(沉淀)
在处理过程中产生CaF2沉淀物时,有一部分CaF2小颗粒会附着于用于在线监测的仪表探头上,如pH值仪表探头和F-离子仪表探头,并在该仪表探头表面上形成垢层,导致pH值/F-离子仪表探头反应迟钝,影响工作灵敏度和准确度。甚至,在严重时形成厚厚的垢层,把探头完全包覆,导致仪表无法正常工作。
总体来看,部分CaF2小颗粒会附着于用于在线监测的仪表探头上,会造成以下不良后果:
一、导致过量加药(即CaCL2),增加系统运行成本;
二、导致系统运行不稳定,严重时导致环保排放不达标,以致严重影响公司形象;
三、导致仪表探头所处的废水区域工况变差,频繁清洗仪表探头会危害人员健康和安全。
因此,如何提供一种可以有效去除仪表探头上CaF2沉淀的气洗装置及氢氟处理系统是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于清洗仪表探头的气洗装置及氢氟处理系统,可以有效清除沉淀在仪表探头上的结垢。
为了达到上述的目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种用于清洗仪表探头的气洗装置,包括:仪表探头保护套和气洗机构,所述仪表探头容置于所述仪表探头保护套内,所述气洗机构包括基座和设于所述基座内的喷嘴,所述基座和所述仪表探头保护套连接,所述喷嘴与所述仪表探头相对,且所述仪表探头在所述喷嘴的射程范围内,且所述喷嘴经高压气管与供气源连接。
在上述的用于清洗仪表探头的气洗装置中,所述基座和仪表探头保护套采用螺纹连接。
在上述的用于清洗仪表探头的气洗装置中,所述仪表探头保护套在对应仪表探头处的侧壁开有观察窗口。
在上述的用于清洗仪表探头的气洗装置中,所述仪表探头保护套采用PVC材质。
在上述的用于清洗仪表探头的气洗装置中,所述基座采用PVC材质。
在上述的用于清洗仪表探头的气洗装置中,所述仪表探头设有数据线,所述数据线外设有数据线保护套,且所述数据线保护套和所述仪表探头保护套连接。
在上述的用于清洗仪表探头的气洗装置中,所述数据线保护套采用PP材质。
本实用新型还公开了一种氢氟处理系统,包括反应罐,所述反应罐中设有CaCL2输入管、NaOH输入管和若干仪表探头,还包括清洗仪表探头的气洗装置,所述清洗仪表探头的气洗装置包括仪表探头保护套和气洗机构,所述仪表探头容置于所述仪表探头保护套内,所述气洗机构包括基座和设于所述基座内的喷嘴,所述基座和所述仪表探头保护套连接,所述喷嘴与所述仪表探头相对,且所述仪表探头在所述喷嘴的射程范围内,且所述喷嘴经高压气管与设有所述反应罐外部的供气源连接。
在上述的氢氟处理系统中,所述反应罐有两个,前反应罐的输出口和后反应罐的输入口相接。
在上述的氢氟处理系统中,还包括促凝反应罐,所述促凝反应罐的输入口和所述后反应罐的输出口相接,所述促凝反应罐内设有PAM输入管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020639425.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





