[实用新型]一种高效高压电极侧壁化键合式LED芯片

权利要求书

1.一种高效高压电极侧壁化键合式LED芯片，其特征在于：

所述结构包括至少一芯片和一底板，所述芯片包括衬底和生长在一衬底表面的发光外延层，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；在所述衬底的第二表面形成一反射层，在该衬底第二表面形成的反射层上晶圆键合一散热性良好的底板；以及在所述第一表面上形成发光外延层，其中从所述发光外延层发射的光包括远离所述衬底方向传播的光以及向着所述衬底方向传播的光，向着所述衬底方向传播的光至少部分地透过所述衬底后被所述反射层反射，该发光外延层的至少一个电极透过侧壁和底板相连接。

2.如权利要求1所述的高效高压电极侧壁化键合式LED芯片，其特征在于：

所述衬底，可以是不透明导电的硅，透明导电的碳化硅，透明不导电的氧化铝。

3.如权利要求1所述的高效高压电极侧壁化键合式LED芯片，其特征在于：

所述衬底的第一表面和第二表面，可以是平面，图形，纳米结构，光子晶体。

4.如权利要求1所述的高效高压电极侧壁化键合式LED芯片，其特征在于：

所述底板，可以是导电导热的金属材料或半导体材料。

5.如权利要求1所述的高效高压电极侧壁化键合式LED芯片，其特征在于：

在衬底第二表面与底板之间，或衬底第二表面与键合层，或衬底第二表面与粘接层之间设置至少有一反射层，反射层可以是金属层或合金层、单层或多层、DBR全反射膜、DBR全反射膜加金属层或合金层。

6.如权利要求1所述的高效高压电极侧壁化键合式LED芯片，其特征在于：

衬底第二表面上形成的反射层与底板连接可以直接键合或通过键合层键合或通过粘接层粘接，材料可以是金属材料，合金材料，非金属材料，有机材料，可以是单层结构，多层结构。

7.如权利要求1所述的高效高压电极侧壁化键合式LED芯片，其特征在于：

部分电极侧壁包覆管芯，使芯片垂直上下各成正负极。

8.如权利要求1所述的高效高压电极侧壁化键合式LED芯片，其特征在于：

发光外延层可以制作成单一LED管芯与数个环形LED管芯，并使其串联成可承受高电压交/直流电源的芯片，电流由中心向四周均匀扩散或由四周均匀向内集中。