[实用新型]三五族太阳能电池结构无效
申请号: | 201020630891.6 | 申请日: | 2010-11-24 |
公开(公告)号: | CN201936891U | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 张一熙;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0328 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋 |
地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 三五 太阳能电池 结构 | ||
技术领域
本实用新型有关一种太阳能电池,特别是指一种利用非晶硅与三五族材质同时进行光能转换的三五族太阳能电池结构。
背景技术
高油价时代来临及国际各国对于环保与气候暖化的关注,促使绿色能源产业快速成长,目前在全球的规模已达到数十亿美元。绿色能源又称为洁净能源(包括水资源、太阳能、风能、地热、清洁煤等),举凡对环境有利的产业都包括在绿能的定义中。而随着节能、低碳议题发烫,其中又以太阳能电池最受到瞩目,太阳能电池具有使用方便、取之不尽、用之不竭、无废弃物、无污染、无转动部份、无噪音、可阻隔辐射热、使用寿命长、尺寸可随意变化、并与建筑物作结合及普及化等优点。尤其台湾多数地区日照非常充足,因此相当适合推广太阳能发电的应用及产业发展。
然而,目前太阳能电池仍旧尚未普及化,主要原因在于成本昂贵,并非一般家庭所能负担。除了组件制造成本较高外,因为转换效率过低,导致于整体回收时间过长也是相当大的原因。目前市面上的太阳能电池,一般转换效率仅约15%~18%,部份强调高效能的太阳能电池产品则号称可达22%以上。不论如何,整体效能仍旧偏低。
尽管市面上有发表许多高效能诉求的太阳能电池,然而,却因为采用特殊的技术或是材质,也导致成本、费用更加昂贵,回收时间、效率不减反增;因此,如何在成本控制得宜下,有效提高转换效能乃是目前最需要面对的重要课题。
发明内容
鉴于以上的问题,本实用新型的主要目的在于提供一种三五族太阳能电池结构,可同时藉由非晶硅与三五族材质同时进行光能转换,有效提升光电转换 效率,而可大体上解决先前技术存在的缺失。
因此,为达上述目的,本实用新型所揭露的三五族太阳能电池,包含有基板、第一型非晶硅层、本质型非晶硅层、第二型非晶硅层、以及三五族的多晶半导体层。利用非晶硅层本身晶格的特性,使三五族的多晶半导体层可设置于非晶硅层上,同时,通过三五族的材质本身具有直接能隙,因此,可通过非晶硅与三五族材质同时进行光能转换,有效提升转换效率,且成本可获得适当控制,使太阳能电池的回收周期减少,进一步提高产业竞争力。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种三五族太阳能电池结构,包含有:
一基板;
一第一型非晶硅层,设置于该基板上;
一本质型非晶硅层,设置于该第一型非晶硅层上;
一第二型非晶硅层,设置于该本质型非晶硅层上;及
一三五族的多晶半导体层,设置于该第二型非晶硅层上。
实施时,该基板的材质选自玻璃、石英、透明塑胶、蓝宝石基板及可挠性材料的群组组合。
实施时,该第一型非晶硅层为P型半导体,该第二型非晶硅层为N型半导体;或该第一型非晶硅层为N型半导体,该第二型非晶硅层为P型半导体。
实施时,该P型半导体的材质选自于铜铝氧化物、铜镓氧化物、铜钪氧化物、铜铬氧化物、铜铟氧化物、铜钇氧化物、银铟氧化物的透明导电氧化物的群组组合。
实施时,该N型半导体的材质选自于氧化锌、氧化锡、氧化铟锌、氧化铟锡的透明导电氧化物的群组组合。
实施时,该三五族的多晶半导体层为单接面结构或多接面结构。
实施时,该三五族的多晶半导体层的材质选自于砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铝镓、砷化镓铟、磷化铝镓、磷化镓铟、砷磷化铝镓、砷磷化铟镓、砷磷化铝镓铟中的一种或群组组合。
实施时,该三五族的多晶半导体层的材质选自氮化镓、氮化铟、铝化镓、氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝铟镓中的一种或群组组合。
与现有技术相比,本实用新型所述的三五族太阳能电池结构,特别是指一种利用非晶硅与三五族材质同时进行光能转换。
为使对本实用新型的目的、特征及其功能有进一步的了解,兹配合图式详细说明如下:
附图说明
图1为本实用新型的三五族太阳能电池结构的示意图。
附图标记说明:11-基板;12-第一型非晶硅层;13-本质型非晶硅层;14-第二型非晶硅层;15-三五族的多晶半导体层。
具体实施方式
请参照图1,绘示本实用新型所提供的三五族太阳能电池结构的示意图。
根据本实用新型所揭露的三五族太阳能电池结构,包含有基板11、第一型非晶硅层12、本质型非晶硅层13、第二型非晶硅层14以及三五族的多晶半导体层15。
基板11的材质可为玻璃、石英、透明塑胶、蓝宝石基板或可挠性材料等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉富新能源科技(上海)有限公司,未经吉富新能源科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020630891.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高清单芯片网络相机
- 下一篇:一种三相共箱式电压互感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的