[实用新型]以PCB为封装基板的闪存集成电路

说明书

技术领域    本实用新型涉及半导体器件，尤其涉及以PCB作为封装基板的闪存flash集成电路。

背景技术    现有技术的闪存（Flash）封装集成电路，一般采用TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）或BGA（Ball Grid Array，球形引脚格栅阵列）封装结构，所述两种封装结构均须先制铜制裁的导线框架，闪存晶片置于该导线框架中部的铜制基板上,用金属导线将该晶片的电联接点与所述导线框架上引脚一一对应焊接, 再用封装材料、如环氧树脂组合封装料模制密封,之后还须对该封装的集成电路引脚进行电镀处理。

这种封装结构的主要缺陷是：

1.所述导线框架的制作需要专用设备，且制作周期长，成本高，特别是在所述集成电路新产品试制阶段或是中小批量生产时，这种长周期、高成本的问题尤为突出。

2.集成电路封装成形后，还须对其引脚进行电镀处理，需要专用设备，投资大，且不利于环保。

实用新型内容  本实用新型要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而设计生产一种采用PCB为基板闪存集成电路，解决现有技术中制作周期长、成本高和不环保等问题。

本实用新型为解决上述技术问题而提出的技术方案是，设计、制造一种以PCB为封装基板的闪存集成电路，包括基板和置于其上的闪存晶片；所述基板单层双面PCB板，其上表面有与闪存晶片的电连接点一一对应的焊盘；所述焊盘与位于基板下表面的各引脚一一对应地电连接。

所述闪存晶片置于该基板的上表面，以金属导线将其电连接点与所述各焊盘一一对应地焊接，再用封装材料将基板上表面封装成形。

所述各引脚是类似TSOP结构的扁平引脚，位于所述下表面的外沿边处。

所述引脚是类似BAG封装的球形引脚，且格栅阵列分布在下表面中部。

所述各引脚包括类似TSOP结构的扁平引脚和类似BAG封装的球形引脚；所述扁平引脚位于所述下表面的外沿边处，所述球形引脚格栅阵列分布在下表面中部；所述扁平引脚和球形引脚一一对应地电连接。

所述基板的侧边有裸露的引线，该引线分别与所述焊盘和位于下面表的引脚一一对应地电连接。

所述引脚是凹嵌在所述下表面的外沿边内，与下表面高度差h不超过0.02mm。

所述引脚均有电镀层。所述PCB是用BT树脂（Bismaleimide-triazine resin，双马来酰亚胺-三嗪树脂）制成。

同现有技术相比，本实用新型的有益效果是：用BT基材的单层双面PCB板为基板代替铜制的导线框架，所制作的闪存集成电路在模塑后无需对其引脚做电镀处理，的降低了制作成本且缩短制作周期，并更利于环保。所述集成电路既有原TSOP封装结构扁平引脚，又有与BGA封装结构相同的球形引脚，方便使用者选择使用；该结构在新产品试制阶段或中小批量生产中更具有制作周期短、经济、实用的突出优势。

附图说明    图1 是本实用新型以PCB为封装基板的闪存集成电路优选实施例的主视剖视结构示意图；

图2是所述优选实施例的左视示意图；

图3 是所述优选实施例集成电路被封装前的俯视示意图；

            图4 是图1的仰视示意图；

图5 是图2 A部的放大示意图。

具体实施方式    下面，结合附图所示之优选实施例进一步阐述本实用新型。

参见图1至5，本实用新型之优选实施例一是，设计、制造一种以PCB为封装基板的闪存集成电路，包括基板2和位于其上的闪存晶片1。所述基板2是单层双面PCB板，其上表层有与闪存晶片1的电连接点11一一对应的焊盘211；所述焊盘211与位于基板2下表面22的各引脚221一一对应地电连接。

所述闪存晶片1置于该基板2的上表面21，以金属导线4将其电连接点11与所述各焊盘211一一对应地焊接，再用封装材料3将基板1上表面21封装成形。封装材料3一般为环氧树脂模制化合物。

参见图4，本实例中，所述各引脚221包括类似TSOP结构的扁平引脚2211和类似BAG封装的球形引脚2212；所述扁平引脚2211位于所述下表面22的外沿边处，所述球形引脚2212则格栅阵列分布在下表面22中部；所述扁平引脚2211和球形引脚2212一一对应地电连接。

所述引脚2211是凹嵌在所述下表面22的外沿边内，与下表面22高度差h不超过0.02mm。