[实用新型]一种延长使用寿命的太阳能电池无效
申请号: | 201020626519.8 | 申请日: | 2010-11-24 |
公开(公告)号: | CN201904347U | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 王伟;赵翠翠;周俊 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0256;H01L31/0216;H01L31/04 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 20009*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 延长 使用寿命 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,特别是涉及一种延长使用寿命的太阳能电池。
背景技术
太阳能电池具有最小环境影响的产生电力的方法,国外从上世纪便已经开始了对太阳能电池的研究。目前太阳能电池技术分为三代:第一代为单晶硅太阳能电池,第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池,第三代太阳能电池就是铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,缩写为CIGS)等化合物薄膜太阳能电池及薄膜硅系太阳能电池。虽然CIGS薄膜太阳能电池无光衰退现象,但是薄膜太阳能电池长期使用,最外层保护层暴露于大气环境,表面会有污物,因此降低了转换效率。中国发明专利“一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法”,公开号:CN1367536A,专利号:02104073.7公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池,该太阳能电池在电池表面沉积MgF2、GaF2、SiO2等减反射膜层。但是由于太阳能电池长时间使用,MgF2、GaF2、SiO2使表面,导致透过率降低。因此多数太阳能电池组件用玻璃作最外层表面覆盖层。但是玻璃覆盖层有下面问题:(1)很重;(2)不能弯曲;(3)抗冲击性差;(4)成本高。这些缺点抵消了薄膜太阳能电池重量轻、抗冲击和能弯曲的优点。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型提供了一种延长使用寿命的太阳能电池,该太阳能电池具有自洁净的功能,使太阳能电池表明不积聚污物,拥有较高的透过率,太阳能的转换效率长久保持较高。
本实用新型的技术方案如下:
一种延长使用寿命的太阳能电池是在太阳能电池1的减反射模层或透明导电层2上设有二氧化钛薄膜3。
所述二氧化钛薄膜的厚度为800~2000nm。
所述的太阳能电池1是铜铟镓硒太阳能电池。
本实用新型延长使用寿命的太阳能电池,是在现有的太阳能电池的减反射模层或透明导电层上采用磁控溅射方法或电子束蒸镀方法制备二氧化钛薄膜而制成。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果是:
(1)本实用新型延长使用寿命的太阳能电池,是在现有的太阳能电池的减反射模层或透明导电层上采用磁控溅射方法或电子束蒸镀方法制备二氧化钛薄膜而制成。技术成熟,成本不高,便于推广。
(2)经实验测试表明:由于在太阳能电池表面具有二氧化钛薄膜,使表面保持清洁,不聚积污物,可以长期保持太阳能电池表面吸收波段透过率高于80%,从而提高太阳能电池使用寿命。
(3)由于铜铟镓硒太阳能电池的选用,保证了较高透过率,因此本实用新型太阳能电池的太阳能的转换效率可长久保持较高。
附图说明
图1是本实用新型延长使用寿命的太阳能电池的部分结构的示意图。
图中:1-太阳能电池,2-减反射模层或透明导电层,3-二氧化钛薄膜。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细描述。
先请参阅图1,图1是本实用新型延长使用寿命的太阳能电池的部分结构的示意图,由图可见,本实用新型延长使用寿命的太阳能电池是在太阳能电池1的减反射模层或透明导电层2上设有二氧化钛薄膜3。
实施例的实验表明,所述二氧化钛薄膜的厚度为800~2000nm都可任意适用,例如二氧化钛薄膜厚度选取2000nm。
经试验表明,针对CIGS太阳能电池的光吸收范围可从1.02eV至1.38eV的特点,适用于二氧化钛薄膜的厚度为800~2000nm,从而使太阳能电池在可吸收波段吸收尽量多的太阳光。太阳能的转换效率长久保持较高。
本实施例并不用于限制本实用新型,凡是采用本实用新型的相似结构及其相似变化,均应列入本实用新型的保护范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学,未经上海理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020626519.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:万能电池盒结构
- 下一篇:P型超结横向双扩散金属氧化物半导体管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的