[实用新型]一种薄膜晶体管液晶显示面板及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)领域，尤其涉及一种薄膜晶体管液晶显示面板及液晶显示器。

背景技术

目前TFT LCD大规模生产过程中，生产、测试和搬送过程都不可避免地会引入静电，摩擦和接触可产生瞬时千伏电压，可以产生约20A的大电流，而玻璃基板属非导体，不利于静电的释放，静电积累(ESC)与静电释放(ESD)过程比较容易造成钝化层(PVX)的击穿，直接形成数据线或栅线的短路或造成部分TFT的损坏，从而影响良品率。

另外，在TFT LCD生产工艺过程中，为了提高生产效率，很多产品在工艺设计上采用Au-Ball(一般是在塑料材料外部包裹镍(Ni)和金(Au)层)的技术，Au-Ball可以代替传统的导电银胶工艺，在导通彩膜基板公共电极与阵列基板公共电极的同时，减少工艺步骤，提高生产效率。但是由于彩膜基板表面上的公共电极(通常为ITO材料)通过Au-Ball容易和数据引线或栅线引线发生静电击穿现象，形成数据线亮线或栅线亮线。其根本原因是因为在工艺过程中引入的外部静电击穿了数据线引线或栅线引线上面的钝化层(PVX)，造成数据线引线或栅线引线与彩膜基板公共电极线通过Au-Ball导通。

在一般工艺过程中，Au-Ball直接掺杂在封框胶中进行涂布，Au-Ball在封框胶中形成分散粒子，在阵列基板与彩膜基板组装成盒过程中，Au-Ball粒子受到挤压，通过充分接触彩膜基板公共电极与阵列基板公共电极形成导通作用，在这过程中不可避免地形成了Au-Ball在数据线引线或栅线引线区域与PVX的直接接触，工艺过程中遇到静电很容易击穿PVX层。

图1所示为常用TFT LCD结构，包括阵列基板1和彩膜基板2，阵列基板1和彩膜基板2通过封框胶3(掺杂Au-Ball)贴合，在阵列基板边缘和彩膜基板边缘之间，有多个数据线引线区域4和多个栅线引线区域5。图2是图1中数据线引线区域4的放大示意图。图3为图2中A-A向截面图。结合图2、图3，阵列基板1上的数据引线7与彩膜基板2上的公共电极14交叠部分通过封框胶3中的Au-Ball12接触，此时只有数据引线7上面的钝化层10起隔离作用。在成盒工艺后，Au-Ball 12受到挤压后，Au-Ball 14与钝化层10充分接触，而数据引线7在阵列工艺中形成的钝化层10厚度约为0.3um，因此在数据信号与公共电极信号之间的电场作用下，主要是Au-Ball与数据引线或栅线引线之间的强电场下，容易造成钝化层10的击穿，进而形成彩膜基板公共电极与交叠部分的数据引线短路，造成显示不良，静电击穿部位参见图3的位置13所示。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及液晶显示器，能够防止采用Au-Ball技术后，在工艺过程中发生数据线引线或栅线引线与彩膜基板的公共电极之间因静电击穿造成短路，导致良品率降低。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种薄膜晶体管液晶显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间用封框胶贴合，所述封框胶中掺杂有Au-Ball，位于封框胶区域的数据线引线、栅线引线处的Au-Ball与所述彩膜基板的公共电极层绝缘。

所述彩膜基板上，位于所述封框胶区域的对应所述数据线引线、栅线引线的公共电极层被去除掉。

所述彩膜基板上，位于所述封框胶区域的对应所述数据线引线、栅线引线的公共电极层上形成有绝缘层。

所述彩膜基板上，位于所述封框胶区域的对应所述数据线引线、栅线引线的公共电极层上形成有绝缘层，且所述公共电极层与其他区域的公共电极层断开。

所述阵列基板上，位于所述封框胶区域的数据线引线、栅线引线与所述封框胶中的Au-Ball电连接。

所述阵列基板上，位于所述封框胶区域的数据线引线、栅线引线通过导电薄膜层与所述封框胶中的Au-Ball电连接。

所述导电薄膜层为ITO层。

所述绝缘层为树脂层。

本实用新型实施例还提供一种液晶显示器，包括上述的薄膜晶体管液晶显示面板。