[实用新型]一种2G/3G可拆分的集成移动通信天线的辐射单元无效

专利信息
申请号: 201020618601.6 申请日: 2010-11-22
公开(公告)号: CN201910482U 公开(公告)日: 2011-07-27
发明(设计)人: 侯建强 申请(专利权)人: 西安俊智电子科技有限公司
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710065 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 3g 拆分 集成 移动 通信 天线 辐射 单元
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及天线技术领域,特别涉及一种2G/3G可拆分的集成移动通信天线的辐射单元。

背景技术

现有的2G/3G可拆分的集成移动通信天线最大的问题是低频(第二代移动通信天线,2G)和高频(第三代移动通信天线,3G)两种频段的天线之间的干扰问题,这种干扰使得天线的方向图发生严重的畸变。这种畸变主要表现在波束指向偏离法线方向,波束宽度严重偏离设计要求,方向图曲线不平滑,前后比变差,副瓣升高,增益下降明显。目前,国内还没有那一家天线公司解决第二代移动通信天线与第三代移动通信天线之间的干扰问题。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于提供一种2G/3G可拆分的集成移动通信天线的辐射单元,通过对低频和高频辐射单元进行排列,采取互补的方案,有效地解决了两个频段天线之间的干扰问题。

一种2G/3G可拆分的集成移动通信天线的辐射单元,包括呈直线排列、间距相同的低频辐射单元,在低频辐射单元的斜上方和斜下方均分布有一个高频辐射单元,三者呈直线排列。

所述的低频辐射单元与高频辐射单元的总个数相等,高频辐射单元交叉分布在一半低频辐射单元的两边,高频辐射单元呈连续排列、间距相同的两条平行线。

所述的高频辐射单元位于低频辐射单元斜上方或斜下方15~45°。

所述的低频辐射单元与其斜上方和斜下方分布的高频辐射单元之间的直线距离为低频辐射单元彼此之间距离的1/5~1/20。

所述的低频辐射单元彼此之间的间距为240~280mm,高频辐射单元与低频辐射单元的水平距离为40~60mm,垂直距离为20~40mm。

所述的低频辐射单元的辐射频率为824~960MHz,高频辐射单元的辐射频率为1710~2170MHz。

所述的低频辐射单元由两个互相垂直的偶极单元构成,每个偶极单元由两个相互平行的偶极单元子构成;偶极单元子由对称的根部和臂部呈“T”形连接而构成,根部和臂部的宽度均为10~12mm,根部的高度为60~62mm,臂部的长度为58~60mm。

所述的高频辐射单元由两个互相垂直的偶极单元构成,每个偶极单元由两个相互平行的偶极单元子构成;偶极单元子由对称的根部和臂部呈“T”形连接而构成,根部和臂部的宽度均为6~8mm,根部的高度为26~30mm,臂部的长度为28~30mm。

与现有技术相比,本实用新型具有以下有益的技术效果:

本实用新型的低频辐射单元采取直线分布,高频辐射单元交叉分布在低频辐射单元的斜上方和斜下方,低频辐射单元与高频辐射单元形成间距均匀的交叉排列,通过低频辐射单元与高频辐射单元互补的方案,有效地解决了两个频段天线之间的互耦问题,其各自的性能与常规的非集合的第二代移动通信天线、第三代移动通信天线相当;解决了两种频段天线之间的干扰问题,各个频段的方向图比较理想,波束宽度,增益,隔离度,前后比等性能有明显的改善,完全满足我国关于移动通信基站天线的要求。

附图说明

图1是低频辐射单元与高频辐射单元分布示意图;

图2是低频辐射单元的偶极子结构示意图;

图3是高频辐射单元的偶极子结构示意图。

其中:1为低频辐射单元;2为高频辐射单元;3为低频辐射单元的偶极单元子;4为低频偶极单元子的根部;5为低频偶极单元子的臂部;6为高频辐射单元的偶极单元子;7为高频偶极单元子的根部;8为高频偶极单元子的臂部。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述,所述是对本实用新型的解释而不是限定。

参见图1,一种2G/3G可拆分的集成移动通信天线的辐射单元,包括呈直线排列、间距相同的低频辐射单元1,在低频辐射单元1的斜上方和斜下方均分布有一个高频辐射单元2,三者呈直线排列。所述的低频辐射单元的辐射频率为824~960MHz(2G),高频辐射单元的辐射频率为1710~2170MHz(3G)。

所述的低频辐射单元1与高频辐射单元2的总个数相等,高频辐射单元2交叉分布在一半的低频辐射单元1的两边,高频辐射单元2呈连续排列、间距相同的两条平行线。

所述的高频辐射单元2位于低频辐射单元1斜上方或斜下方15~45°;低频辐射单元1与其斜上方和斜下方分布的高频辐射单元2之间的直线距离为低频辐射单元1彼此之间距离的1/5~1/20。

具体的,低频辐射单元1彼此之间的间距为240~280mm,高频辐射单元2与低频辐射单元1的水平距离为40~60mm,垂直距离为20~40mm。

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