[实用新型]发光二极管封装结构无效
申请号: | 201020612526.2 | 申请日: | 2010-11-16 |
公开(公告)号: | CN201893375U | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;萧松益;郑淯仁;陈政吉 | 申请(专利权)人: | 宏齐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括:
一导电基板单元,其具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体及至少一个形成于上述两个导电本体之间的间隙;
一第一绝缘单元,其具有至少一个填充于所述至少一个间隙内以用于连结上述两个导电本体的第一绝缘层;
一第二绝缘单元,其具有至少一个设置于该导电基板单元上的第二绝缘层及多个穿过所述至少一个第二绝缘层且用于裸露每一个导电本体的部分上表面的开口;
一发光单元,其具有至少一个穿过其中一开口而设置于其中一导电本体上的发光组件,其中所述至少一个发光组件电性连接于上述两个导电本体之间;以及
一封装单元,其具有至少一个设置于该第二绝缘单元上且用于覆盖所述至少一个发光组件的封装胶体。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,上述两个导电本体的其中一个的底部具有至少一个连通于所述至少一个间隙的底凹陷部,且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一个底凹陷部内。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,每一个导电本体的底部具有至少一个连通于所述至少一个间隙的底凹陷部,且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一个底凹陷部内。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,上述两个导电本体的其中一个的侧面具有至少一个连通于所述至少一个间隙的侧凹陷部,且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一个侧凹陷部内。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,每一个导电本体的侧面具有至少一个连通于所述至少一个间隙的侧凹陷部,且所述至少一个第一绝缘层填充于所述至少一个侧凹陷部内。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述至少一个第一绝缘层的上表面与上述两个导电本体的上表面齐平,且所述至少一个第一绝缘层的下表面与上述两个导电本体的下表面齐平。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,上述两个导电本体的其中一个的上表面具有多个排列成一环绕状以用于判断所述至少一个发光组件的放置位置是否正确的定位凹槽。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述多个定位凹槽及所述至少一个发光组件被同一个开口所裸露。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述至少一个封装胶体具有一位于该第二绝缘单元上的底层胶体部及一位于所述至少一个发光组件上方且与该底层胶体部一体成型的透镜胶体部。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,进一步包括:一防突波单元,其具有至少一个穿过其中一个开口而设置于其中一导电本体上的防突波组件,其中所述至少一个防突波组件电性连接于上述两个导电本体之间。
11.一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括:
一导电基板单元,其具有至少两个彼此分离了一特定距离的导电本体、至少一个设置于上述两个导电本体之间且与上述两个导电本体彼此分离了一特定距离的散热本体、及至少两个分别形成于其中一导电本体与该散热本体之间及形成于另外一导电本体与该散热本体之间的间隙;
一第一绝缘单元,其具有至少两个分别填充于所述至少两个间隙内的、以用于连结该散热本体的、且位于上述两个导电本体之间的第一绝缘层;
一第二绝缘单元,其具有至少一个设置于该导电基板单元上的第二绝缘层及多个穿过所述至少一个第二绝缘层且用于裸露每一个导电本体的部分上表面及该散热本体的部分上表面的开口;
一发光单元,其具有至少一个穿过其中一个开口而设置于该散热本体上的发光组件,其中所述至少一个发光组件电性连接于上述两个导电本体之间;以及
一封装单元,其具有至少一个设置于该第二绝缘单元上且用于覆盖所述至少一个发光组件的封装胶体。
12.如权利要求11所述的发光二极管封装结构,其特征在于,每一个导电本体的底部具有至少一个连通于每一个间隙的底凹陷部,且每一个第一绝缘层填充于每一个导电本体的至少一个底凹陷部内。
13.如权利要求11所述的发光二极管封装结构,其特征在于,每一个导电本体的侧面具有至少一个连通于每一个间隙的侧凹陷部,且每一个第一绝缘层填充于每一个导电本体的至少一个侧凹陷部内。
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