[实用新型]阵列基板和液晶显示器有效
申请号: | 201020601201.4 | 申请日: | 2010-11-08 |
公开(公告)号: | CN201867560U | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 谭文;祁小敬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 液晶显示器 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术,尤其涉及一种阵列基板和液晶显示器。
背景技术
液晶显示器是目前常用的平板显示器,其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。图1A为现有TFT-LCD阵列基板的局部俯视结构示意图,图1B为图1A中的单个像素单元的局部俯视结构示意图,如图1A和图1B所示,现有阵列基板包括衬底基板1;衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2;数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元;栅线2与数据线5之间有绝缘层隔离;每个像素单元包括一个TFT开关和像素电极11;TFT开关包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6;栅电极3连接栅线2,源电极7连接数据线5,漏电极8连接像素电极11,有源层6形成在源电极7和漏电极8与栅电极3之间,栅电极3和有源层6之间为栅绝缘层(图中未示)。其中,像素电极11与公共电极线12的交叠部分形成存储电容Cb,栅电极3和源电极7的交叠部分形成寄生电容Cgs。
随着TFT-LCD的画质质量和分辨率要求的提高,TFT-LCD中的像素单元的尺寸越来越小越小,像素单元中的信号线如:数据线和栅线对像素电极的影响越来越大。如图1A和图1B所示,数据线5位于一个像素单元的一边,位于两个相邻的像素单元之间,数据线5的偏移对每个像素单元的寄生电容Cgs的影响是单方向的。
如果数据线曝光发生水平偏移,共用数据线的两个像素单元受左右两边数据线的耦合电容差异变大,两个像素单元的液晶电压差异增加,存在垂直串扰差异问题,产生垂直串扰;并且数据线偏移也导致某些像素单元的栅电极与源电极的寄生电容的变大,增大该像素单元的馈入电压,导致闪烁(flicker)现象严重。
实用新型内容
本实用新型提供一种阵列基板和液晶显示器,以实现减弱垂直串扰和闪烁问题。
本实用新型提供一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线,以及多个像素单元,其中:
所述像素单元包括两个亚像素单元,所述像素单元的数据线形成在两个亚像素单元之间;
所述亚像素单元包括像素电极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和有源层;
所述像素单元的数据线分别与所述像素单元的两个亚像素单元的源电极连接,所述像素单元的栅线分别与所述像素单元的两个亚像素单元的栅电极连接,所述亚像素单元的像素电极分别与各自的漏电极相连。
如上所述的阵列基板,其中,所述像素单元的两个亚像素单元关于所述像素单元的数据线对称。
所述像素单元的两个亚像素单元对应的薄膜晶体管的沟道宽长比不同。
所述像素单元的两个亚像素单元对应像素电极面积不同。
进一步地,所述衬底基板上还形成有与所述栅线位于同层的公共电极线。所述公共电极线与所述像素电极具有交叠区域。所述公共电极线包括对应像素单元之间的部分。
本实用新型还提供一种液晶显示器,包括液晶面板,所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和本实用新型提供的任一所述的阵列基板,所述彩膜基板和阵列基板中夹设有液晶层。
本实用新型提供的阵列基板和液晶显示器,通过数据线将每个像素单元分为两个亚像素单元,在数据线发生偏移时,数据线与两个亚像素单元的像素电极之间的耦合电容产生差异,使两个亚像素单元灰阶组合后变化相互抵消,减弱了数据线发生偏移对像素单元产生的液晶电压的影响,从而减小垂直串扰;并且,像素单元的两个亚像素单元的寄生电容互相抵消实现自补偿,减弱闪烁现象。
附图说明
图1A为现有TFT-LCD阵列基板的局部俯视结构示意图;
图1B为图1A中的单个像素单元的局部俯视结构示意图;
图2为本实用新型实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图;
图3为本实用新型实施例二提供的阵列基板的局部俯视结构示意图。
主要附图标记:
1-衬底基板; 2-栅线; 3-栅电极;
5-数据线; 6-有源层; 7-源电极;
8-漏电极; 9-钝化层; 11-像素电极;
12-公共电极线; 50-像素单元; 51-亚像素单元。
具体实施方式
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