[实用新型]一种宝石的单晶体生长监控装置无效

专利信息
申请号: 201020599021.7 申请日: 2010-11-08
公开(公告)号: CN201850329U 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 梁志安 申请(专利权)人: 鸿福晶体科技(安徽)有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/20
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 方峥
地址: 237321 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 宝石 单晶体 生长 监控 装置
【说明书】:

技术领域:

实用新型涉及温度监控装置领域,尤其涉及一种宝石的单晶体生长监控装置。

背景技术:

追求高纯净,晶体完整性好,低成本的蓝宝石晶体一直是科研人员的主要研究方向。由于导模法具有晶体生长速度快,尺寸可以精确控制,简化了晶体的加工程序,大大降低了晶体加工难度,节省了材料、时间和能源,降低生产成本,提高经济效益,是人工蓝宝石当前最主要的生长方法。但在传统的生长方法是利用人工观察调整功率进行控制生长,对人员技术水平要求较高,温度控制精度差影响结晶界面的稳定影响晶体的完整性,产品质量一致性差从而限制了工业化、标准化、规模化生产。

因此温度控制对于宝石加工至关重要,本实用新型采用红外测温仪,对于精确的红外测温仪通常精度都是1度以内,用红外测温仪,可快速探测操作温度的微小变化,在其萌芽之时就可将温度问题解决。

实用新型内容:

本实用新型的目的是提供一种宝石的单晶体生长监控装置,有效地解决了传统的人工观察调整功率进行控制生长的方法,对温度控制的稳定性较差的问题。

本实用新型的技术方案如下:

一种宝石的单晶体生长监控装置,包括拉晶机、温场,所述的拉晶机外壁设有视窗,所述的拉晶机内安装有温场,所述的温场内设有坩埚,其特征在于:所述的拉晶机斜上方安装有一端对准视窗内坩埚的测温仪,所述的测温仪一侧连接温度控制系统。

所述的宝石的单晶体生长监控装置,其特征在于:所述的温度控制系统一侧连接有电源,所述的测温仪、温度控制系统、电源之间设有接线,所述的测温仪为红外测温仪。

本实用新型的优点是:

本实用新型的结构简单,采用红外测温仪对拉晶机内的温场的温度进行精确的控制,有效的保证了结晶界面的稳定性和晶体的完整性。

附图说明:

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式:

一种宝石的单晶体生长监控装置,包括拉晶机1、温场2,拉晶机1外壁设有视窗3,在拉晶机1内安装有温场2,温场2内设有坩埚4,坩埚4是用来放置宝石加工的原料的,拉晶机1斜上方安装有一端对准视窗3内坩埚4的测温仪5,测温仪5主要检测坩埚4内的原料的结晶界面的温度,测温仪5一侧连接温度控制系统6,温度控制系统6一侧连接有电源7,测温仪5、温度控制系统6、电源7之间连接有接线8,测温仪5为双色红外测温仪。

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