[实用新型]可以抑制内部电磁干扰的电源供应器

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种电源供应器，特别涉及一种可以抑制因内部回路产生高频振荡所引起电磁干扰的电源供应器。 

背景技术

电源供应器于设计阶段，必须送到电磁干扰(EMI)实验室进行测试，以确定设计的产品符合安规(ex Class B)，若测试无法通过，即必须对送验的电源供应器进行分析，以找出可能的噪声源，并在修改电路后再次送到电磁干扰实验室进行测试。 

测试项目是分别测试电源供应器在垂直及水平方向上某个高频频段的dB值，例如在155MHz～230MHz频段偏高，其中最坏频点：垂直方向，224MHz时峰值超过7.66dB；159MHz时峰值超2.85dB；水平方向，227MHz时，其峰值超过2.78dB，在前述测试结果下，即无法通过Class B标准。 

一旦发现电磁干扰后，即必须重新检讨分析线路设计，待修改后又必须重新送回电磁干扰实验室进行测试，如此反复过程，非常耗时，当电磁干扰实验室和制造工厂不在同一处时，前述的不便状况将更为显著。 

而从实际的测试经验可知，电源供应器的电磁干扰来源经常来自于电源供应器内部，原因在于电磁干扰实验室的测试系统是在密封状态下对电源供应器进行测试，而电源供应器在和外部隔离的状态下仍然出现高频干扰，显见干扰源是由电源供应器内部经由输入线向外辐射。至于高频干扰的可能来源之一应该和功率晶体管的特性及功率晶体管工作时和直流输入回路上部分组件产生非预期的振荡回路有关。 

以功率晶体管而言，多半是由金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)所构成，其在漏极/源极和漏极/源极间都存在寄生电容，又功率晶体管的栅极和直流输入回路之间的线路则存在寄生电感，由于功率晶体管开关速度快，在开关瞬间，线路上的寄生电感与功率晶体管本身的寄生电容产生高频振荡。 

对电源供应器进行测试，其在输入在线使用线圈进行的扰动测试显示，功率因子校正电路上的电容C1，其开路与否对于扰动的频率出现一定的差异，如图3揭示的测试结果显示：在电容C1存在的状态下，其低频上迭加有高频成 分；又令电容C1开路时，而扰动情况明显改善，如图2所示。由上述可知，电源供应器的电磁干扰可能来自本身的线路与组件，故必须提出有效的解决方案，以期减少反复进行电磁干扰测试的次数，并有效改善电磁干扰的问题。 

发明内容

因此本实用新型主要目的在于提供一种可以抑制内部电磁干扰的电源供应器，其可有效抑制电源供应器内部因非预期振荡所产生的干扰源，进而达到减少反复进行电磁干扰测试次数，有效改善电磁干扰的目的。 

为达成前述目的采取的主要技术手段是令前述电源供应器包括： 

一整流电路，具有一输入端及一输出端；

一功率因子校正电路，是设在整流电路的输出端上；该功率因子校正电路具有一正电源回路及一负电源回路，该正电源回路上依序串接有一电感及一第一二极管，该第一二极管两端跨接有一电容；又正电源回路上跨接有一第二二极管；又功率因子校正电路进一步包括一晶体管，该晶体管的漏、源极是分别跨接在正、负电源回路上；

一控制器，具有一功率因子控制端及一脉宽调制输出端，其中功率因子控制端是和功率因子校正电路的晶体管栅极连接；

一直流对直流转换电路，包括一变压器，具有一次侧及一二次侧，其中一次侧具有一第一端及一第二端，且分别和一第一功率晶体管、一第二功率晶体管连接，第一功率晶体管是以其漏极和功率因子校正电路的正输出端连接，第二功率晶体管是以其源极和功率因子校正电路的负输出端连接；其中第二功率晶体管的源极通过相串接的一第一磁珠和一第三二极管连接到变压器一次侧的第一端，该变压器一次侧的第二端也通过相串接的一第二磁珠和一第四二极管连接到第一功率晶体管的漏极；

前述电源供应器首先在功率因子校正电路中取消了会将振荡讯号传送到输入端的电容，又在功率因子校正电路的正电源回路上跨接一电容，另在第一、第二晶体管的开关回路上分别串接第一、第二磁珠，藉以抑制寄生电容、寄生电感振荡产生的高频振荡；由于电源供应器内部主要的高频干扰源已被有效抑制，不仅可改善反复对电源供应器进行电磁干扰测试所造成的不便，同时也可符合安规标准。 

附图说明

图1是本实用新型的电路图。 

图2是现有电源供应器在其功率因子校正电路上未设置电容C1的特性曲线图。 

图3是现有电源供应器在其功率因子校正电路上设置电容C1的特性曲线图。 

图4是本实用新型在功率因子校正电路上未设置电容C2的特性曲线图。