[实用新型]一种单线通讯电路

说明书

技术领域：

本实用新型属于电信号的通讯电路，特别是涉及一种单线通讯电路。 

背景技术：

传统的单线通讯电路，一直受通讯线距离的制约影响。通讯线越长，线间电容量愈大，干扰愈大。因此传统的单线通讯电路仅限于短距离通讯。 

发明内容：

本实用新型的目的是提供一种单线通讯电路，将高电平数据和低电平数据分开发送，发送低电平时，使用强下拉电路，使通讯线上的线电容电荷及干扰电荷快速放电；加入基极消容电路，接收低电平数据时可使通讯线上的线电容电荷、干扰电荷及三极管基极的结电容电荷快速放电。因此消除了线间电容的影响，增强了抗干扰能力，加大了通讯距离。 

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种单线通讯电路，它包括第一MCU、第一高电平数据发送电路，第一低电平数据发送电路、第一数据接收电路、第二MCU、第二高电平数据发送电路，第二低电平数据发送电路、第二数据接收电路、一根数据线。 

上述方案中，第一MCU的I/O口分别与第一数据接收电路的输出端、第一低电平数据发送电路的输入端、第一高电平数据发送电路输入端相连。所述第一数据接收电路的输入端、第一低电平数据发送电路的输出端、第一高电平数据发送电路输出端与通讯线相连。所述第二MCU的I/O口分别与第二数据接收电路的输出端、第二低电平数据发送电路的输入端、第二高电平数据发送电路输入端相连。所述第二数据接收电路的输入端、第二低电平数据发送电路的输出端、第二高电平数据发送电路输出端与通讯线相连。所述第一MCU与第二MCU之间通过一条通讯线相互通讯。 

本实用新型在单线通讯电路中将高电平数据和低电平数据分开发送，在发送低电平时，强行拉低通讯线，使通讯线上的线电容电荷及干扰电荷快速放电。加入基极消容电路，接收低电平数据时可使通讯线上的线电容电荷、干扰电荷及三极管基极的结电容电荷快速放电。消除了因通讯线加长容量增大的困扰，增强了抗干扰能力，增大了通讯长度。实现了单线通讯距离可在长距离通讯中的实施。 

附图说明

图1是本实用新型的电路框图； 

图2是本实用新型的电路原理图。 

具体实施方式

图1中(1)为第一MCU，(2)为第一数据接收电路，(3)为第一低电平数据发送电路，(4)为第一高电平数据发送电路，(5)为通讯线，(6)为第二MCU，(7)为第二数据接收电路，(8)为第二低电平数据发送电路，(9)为第二高电平数据发送电路。 

第一MCU(1)发送数据时，高电平数据和低电平数据使用不同电路进行发送。低电平数据使用第一低电平数据发送电路(3)发送，高电平数据使用第一高电平数据发送电路(4)发送。 

第二MCU(6)发送数据时，高电平数据和低电平数据使用不同电路进行发送；低电平数据使用第二低电平数据发送电路(8)发送，高电平数据使用第二高电平数据发送电路(9)发送。 

见图2，第一低电平数据发送电路(3)由三极管T1和电阻R1、R2组成。电阻R1一端接第一MCU的I/O口SEND1L，另一端接三极管T1基极，电阻R2一端接三极管T1集电极，另一端接通讯线(5)，三极管发射极接地。当第一MCU(1)需要发送低电平时，SEND1L置位，SEND1H清0，三极管T1导通，使通讯线(5)上的线电容电荷及干扰电荷快速放电，通讯线(5)被强行拉低。 

第一高电平数据发送电路(4)包括三极管T2、T4，电阻R3、R4、R5、R6，二极管D2组成。电阻R3一端接第一MCU的I/O口SEND1H，一端接三极管T2基极，三极管T2的发射极接地，电阻R5一端接正电源12V，一端接三极管T2的集电极，电阻R4一端接三极管T2的集电极，一端接三极管T4的基极。三极管T4的发射极接正电源12V，集电极接二极管D2的正极，负极接电阻R6，R6的另一端接通讯线(5)。当第一MCU(1)需要发送高电平时，SEND1L清0，SEND1H置位，T2导通，T4的基极被拉低，T4导通，将通讯线(5)拉高。