[实用新型]一种LED恒流驱动控制电路有效

专利信息
申请号: 201020550302.3 申请日: 2010-09-30
公开(公告)号: CN201805598U 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 宁利华 申请(专利权)人: 宁利华
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02;F21V23/00;F21Y101/02
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 353000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 驱动 控制电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种LED恒流驱动控制电路。

背景技术

LED照明光源具备发光效率高、体积小、寿命长等优点,故其具有广泛应用的趋势,传统的LED照明电路通常是使用直流驱动方式,其输入电压范围窄,要通过变压器降压到5V~30V,这样不仅增大了驱动电路的体积,而且驱动电流小,不稳定,容易加速LED老化,增加电路损耗,缩短LED的工作寿命,因此,开发一种能直接用于市电,驱动电流稳定的驱动电路是非常必要的。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种LED恒流驱动控制电路,可不用降压直接应用于市电,体积小,成本低。

为实现上述目的,本实用新型采用以下方案实现:一种LED恒流驱动控制电路,包括一驱动IC,其特征在于:所述的IC包括一线性调光控制端、一驱动外接MOS管栅极端以及一负载电流取样反馈端;所述驱动外接MOS管栅极端连接一MOS管栅极,所述MOS管的漏极与一LED灯模块电性连接;所述所述MOS管的源极与负载电流取样反馈端电性连接;所述线性调光控制端与一电阻值调控单元连接。

本实用新型可直接应用于市电庭院灯、LED球泡灯、日光灯、筒灯、射灯、板灯、台灯等,不用降压电源效率高达90%以上,而且恒流;当电源电压变化在±10%时,电流变化≤3%。使LED工作稳定可靠寿命长。整个电路使用零件少,成本低体积小,是一种值得推广的LED市电恒流驱动模块电路。

附图说明

图1是本实用新型的电路原理框图。

图2是本实用新型驱动IC的内部电路原理示意图。

图3是实施例一110/220V交流应用LED灯驱动电路示意图。

图4是实施例二可线性调光的LED灯驱动电路。

图5是实施例三可数控调光的LED显示驱动电路。

图6是实施例四低压降压型应用的电路拓扑示意图。

图7是实施例五低压升型应用电路拓扑示意图。

图8是实施例六恒流源电路示意图。 

附图中:

GND:IC接地,电源负极;

EN:使能端、高电平有效;

LD:线性调光控制端;

FS:启动延时控制端;

GATE:驱动外接MOS管栅极;

CS:负载电流取样反馈端;

TOFF:关断时间设置;

VDD:IC电源正极。

具体实施方式

下面结合附图及实施例子对本实用新型做进一步说明。

如图1所示,本实用新型提供一种LED恒流驱动控制电路,包括一驱动IC,其特征在于:所述的IC包括一线性调光控制端、一驱动外接MOS管栅极端以及一负载电流取样反馈端;所述驱动外接MOS管栅极端连接一MOS管栅极,所述MOS管的漏极与一LED灯模块电性连接;所述所述MOS管的源极与负载电流取样反馈端电性连接;所述线性调光控制端与一电阻值调控单元连接。请参照图2,图2是所述的驱动IC内部电路原理示意图,从图中可知,该驱动IC是通过线性、频率调节控制电流。该IC具有能通过外接电容大小来调节LED灯模块开关灯时电压逐渐上升速率的延时控制端。根据IC的特性,在设计本实用新型的电路时,我们可以总结出以下电路设计要求:

l、恒流值的设定:

采用降压拓扑时,LED中的平均电流与Rcs压降成正比,但必须考虑电感电流平均值与峰值电流的误差。例如电感纹波电流峰值为100mA时,要得到350mA的LED电流,取样电阻Rcs,应选取:Rcs=300mV/(350mA+0.5*100mA)=0.75                                               

2、MOSFET的选用:

在220Vac供电情况下,一般要求耐压在600V以上。MOSFET的电流应选工作电流的5倍以上。内阻应小于0.5。

3、工作频率的确定:

工作频率由接在TOFF脚上电阻及电容来设定,电阻接端,电阻越小,频率越高,电容越大,频率越低。工作频率高低应根据实际情况决定,工作频率越高,电感越小,成本越低。

4、电感的选择:

在经典应用中,纹波电流被选取为正常LED电流的30%,例如=350mA,60个超高亮度LED串联组成,每个LED正向压降为3.2V,则LED串的总电压=l 92V,输入

Vin=220V*=310V,由此可以计算开关占空比为:D=/Vin=192/310=0.62

当工作频率为100KHz时,MOGFET的导通时问为:Ton=D/fosc=0.62/100KHz=6.2ms

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