[实用新型]晶圆加热装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种加热装置，尤其涉及一种晶圆加热装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)为工艺技术中常见的技术，其是主要在真空环境下搭配加热器的使用，将化学气体沉积于一晶圆上。而进行化学气相沉积时的加热温度必须于1200～1400度以上，因此，加热器必须能产生并承受1200～1400度以上的高温，可想而知其成本相当高，但因为受到高温、真空、以及化学气体的影响，加热器的使用寿命都不长。

一般来说，加热器通常具有多个线圈以同心设置而成，为了有效解决加热器的使用寿命不长，造成的高成本的问题，美国专利公告第5294778号的“CVD platen heater system utilizing concentricelectric heating elements”，其揭露了一种具有内、中、外加热体的加热器，三部分各自之间的加热线圈是各自独立，因此，若其中一部分的加热体毁坏，仅需要针对毁坏的部分进行置换，借此避免因为一小部分的加热线圈毁损就必须要将整组线圈换掉的问题，因而能够有效降低加热器的成本。

然而，上述加热器的内、中、外加热体的加热线圈是处于同一平面，而外加热体因为直接与外部冷空气进行接触，因而其散失的热量较内、中加热体来得多，在同时对一承载有多个晶圆的承载片进行加热时，该承载片靠近边缘的温度较中央位置低，使得设置于该承载片靠近边缘的晶圆因为无法均匀加热，造成优良率低的问题。一般的解决方法是避免在该承载片靠近边缘处设置晶圆，仅利用具有均匀热度的承载片中心区域，如此一来，其产能便会减少，实不符合经济成本。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，在于解决现有技术的承载片的加热均匀度不足，因而被迫不使用该承载片的周边区域的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种晶圆加热装置，其对一承载多个晶圆的承载件进行加热，且设置于该承载件远离该多个晶圆的一面，该晶圆加热装置包括一承接板及装设于该承接板上的多个发热线圈，该多个发热线圈以同心设置于该承接板上，其中该多个发热线圈的外圈与内圈为不同平面，且该多个发热线圈的外圈高度较内圈高度高，而较靠近该承载件。

根据本实用新型的一个改进方案，该承接板具有一内承接板、一中承接板及一外承接板，该内承接板、中承接板及外承接板上各设置有多个发热线圈，且内承接板的多个发热线圈相连接，中承接板的多个发热线圈相连接，外承接板的多个发热线圈相连接。

根据本实用新型的一个改进方案，中承接板为一环状结构而具有一容置内承接板的中空部，外承接板亦为一环状结构而具有一容置内承接板及中承接板的中空部。

根据本实用新型的一个改进方案，内承接板与中承接板的多个发热线圈位于同一平面，外承接板的多个发热线圈高于内承接板及中承接板的平面而较为靠近承载件。

根据本实用新型的一个改进方案，外承接板由圆心方向往外具有一第一发热线圈、一第二发热线圈、一第三发热线圈及一第四发热线圈，第一发热线圈与第二发热线圈设置于同一平面，而第三发热线圈高于第一发热线圈与第二发热线圈，第四发热线圈则低于第一发热线圈与第二发热线圈。

根据本实用新型的一个改进方案，多个发热线圈是电阻加热的发热体。

根据本实用新型的一个改进方案，承接板上设置有避免发热线圈变形的多个固定架，多个发热线圈放置于多个固定架上。由上述说明可知，本实用新型借由该承接板的该多个发热线圈对该承载件进行加热，而该多个发热线圈的外圈高度较高因而能够较靠近该承载件，加强其加热效果。借此弥补该承接板外圈的发热线圈因为与外部冷空气直接接触，使得其热散失较快，因而造成该承载件靠近周边位置的热度不均匀的问题。利用调整该承接板外圈的发热线圈高度，控制该承载件靠近周边的热度，进而达到该承载件的加热温度一致的目的。

附图说明

图1是本实用新型一优选实施例的立体分解示意图；

图2是本实用新型一优选实施例的立体结构示意图；

图3A是本实用新型一优选实施例的剖面示意图；以及

图3B是本实用新型一优选实施例的局部放大示意图。

具体实施方式

有关本实用新型的详细说明及技术内容，现就配合附图说明如下：