[实用新型]一种用于制造瞬态电压抑制器的引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于制造瞬态电压抑制器的引线框架，属于半导体领域。

背景技术

瞬态电压抑制器是一种用于保护器件的半导体器件，当瞬态电压抑制器的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。

现有瞬态电压抑制器的引线框与晶粒的焊接区(凸台平面边缘轮廓)为圆形，如附图1-2所示，其面积不够大，导致过压保护能力得不到完全发挥。

发明内容

本实用新型提供一种用于制造瞬态电压抑制器的引线框架，该引线框架提高了有效焊接面积，大大提高了瞬态电压抑制器的过压保护能力。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种用于制造瞬态电压抑制器的引线框架，包括：与二极管晶粒P区焊接的第一引线框、与二极管晶粒N区焊接的第二引线框，所述与二极管晶粒P区焊接的第一引线框的支撑区上设有凸台，此凸台形状为圆角矩形。

上述技术方案中的有关内容解释如下：

1、上述方案中，所述第一引线框另一端为引脚区，此引脚区与支撑区之间区域设有沟槽，该沟槽从第一引线框一侧延伸至另一侧。

2、上述方案中，所述第一引线框的支撑区与引脚区之间区域设有通孔。

3、上述方案中，所述通孔为圆孔。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型提供一种用于制造瞬态电压抑制器的引线框架，该设计方案引线框与晶粒的焊接区(凸台平面边缘轮廓)为带圆角的矩形，该形状与芯片焊接区形状最接近，保证了最大有效焊接面积，使晶粒的过压保护能力得以充分发挥。通过实验验证，用60-70mil晶粒可取代现有的80mil晶粒，从而可实现缩小晶粒尺寸，提高了瞬态电压抑制器的过压保护能力，显著降低晶粒成本的目的。

附图说明

附图1为现有引线框架结构示意图；

附图2为附图1仰视结构示意图；

附图3为本实用性引线框架结构示意图；

附图4为附图3仰视结构示意图。

以上附图中：1、二极管晶粒；2、第一引线框；3、凸台；4、沟槽；5、通孔。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例：一种用于制造瞬态电压抑制器的引线框架，

如附图3-4所示，包括：与二极管晶粒1P区焊接的第一引线框2、与二极管晶粒1N区焊接的第二引线框，所述与二极管晶粒1P区焊接的第一引线框2的支撑区上设有凸台3，此凸台3形状为圆角矩形。

所述第一引线框2另一端为引脚区，此引脚区与支撑区之间区域设有沟槽4，该沟槽4从第一引线框2一侧延伸至另一侧。

所述第一引线框2的支撑区与引脚区之间区域设有通孔5。

所述通孔5为圆孔。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。