[实用新型]可修调的高精度RC振荡电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域的一种振荡电路，尤其涉及一种可修调的高精度RC振荡电路。

背景技术

目前，几乎所有的集成电路都必须用到振荡电路，没有振荡电路提供的时序信息，集成电路就无法正常工作的。在基于CMOS工艺的ASIC设计中，常用的振荡器有三种：RC振荡器、环形振荡器和晶振。其中，晶振的频率很精确，但是相对于民用消费类产品价格高，成本高昂；环形振荡器的版图面积大，振荡频率高，稳定性也不是很好；而RC振荡器具有成本低廉的优势，在消费类电子产品中RC振荡器的应用非常普遍，且还具有无电感，频率可调以及电阻电容都能集成到芯片中等优点，但是，现有的大多数RC振荡器在精度上都很难符合客户的要求，RC振荡频率随工艺参数、温度和工作电压等因素的变化比较大，且一旦芯片生产出来振荡频率就不能进行修改了，这样即使是同一批芯片RC振荡器的一致性也很差。

具体地讲，其一，目前常用的RC振荡器(其电路结构如图1所示)的工作电源大多数都是和其他电路共用的，这样的好处是可以节省一部分电路，但是其他电路工作的时候也会对电源电压产生影响，使电源电压信号产生波动，进而导致RC振荡器的振荡频率发生变化，而如果振荡频率不准就可能导致芯片彻底不能使用，坏片率急剧上升，反而相当于增加了成本，例如，红外发码类产品需要发送38K载波，如果RC振荡器的频率偏差太大的话，接收器会不能正常解码，芯片也就不能使用；其二，工艺和温度的变化对RC振荡器振荡频率的影响也比较大，频率的偏差可以达到10％；其三，如果电阻、电容在制造时出现偏差，则也会导致RC振荡器振荡频率不准时无法进行调整。

发明内容

本实用新型的目的在于提出一种可修调的高精度RC电路，其振荡频率基本 上不会因工艺、温度和工作电压等影响而变化，且振荡频率出现偏差时可以进行一定范围的修调，从而克服了现有技术中的不足。

为实现上述发明目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种可修调的高精度RC振荡电路，其特征在于，所述RC振荡电路包括：

一可产生供应给一线性调节器和一充电电流产生模块使用的，不随电压、温度和工艺变化的第一基准电压，以及供应给一RC振荡模块使用的，呈现特定温度系数的第二基准电压的带隙基准模块；

一可产生供应给一基准电流产生模块、一充电电流产生模块和一RC振荡模块作为电源使用的第三电压的线性调节器；

一可生成稳定基准电流供应给一充电电流产生模块和一RC振荡模块的基准电流产生模块；

一可产生充电电流，并对充电电流调整后供给一RC振荡模块的充电电流产生模块和修调模块；

以及，一可在上述第二基准电压、第三电压、基准电流和充电电流的作用下产生设定频率的时钟信号的RC振荡模块。

进一步地讲：

所述带隙基准模块与线性调节器、充电电流产生模块和修调模块以及RC振荡模块相连，线性调节器与基准电流产生模块、充电电流产生模块和修调模块以及RC振荡模块相连，充电电流产生模块和修调模块与RC振荡模块相连。

所述充电电流产生模块和修调模块包括一运放，第一、二、三、四电阻，第一、二、三、四、五、六、七、八、九至2M-1、2M N沟道MOS管，所述运放反相输入端加第一基准电压，同相输入端第一电阻的一端，运放的输出端接第一N沟道MOS管的漏极，运放还分别接第三电压、地和基准电流信号；第一电阻另一端接地；第二电阻与第一电阻一端相连，另一端接第一N沟道MOS管的源极；而所述第一N沟道MOS管的源极加第三电压；而第一N沟道MOS管的栅极与第三电阻一端、第二、四N沟道MOS管的漏极相接，第三电阻另一端与第四电阻一端相连，第四电阻另一端接第二N沟道MOS管的栅极；第二N沟道MOS管的栅极与第三、五、七、九至2M-1N沟道MOS管的漏极相接；第二N沟道MOS管的源极与第三N沟道MOS管的栅极相连；第三、第五、第七、九至2M-1N沟道MOS管的源极均加第三电压；第七、九至2M-1N沟道MOS管的栅极分别与第六、八至2MN沟道MOS管的源极相接；第四、六、八至2MN沟道MOS管的栅极接在一起接充电电流输出端，其中第六、八至2M N沟道 MOS管是调节管，上述M为正整数。

所述充电电流产生模块和修调模块中所采用的调节管数量是根据修调位数而定的。

所述RC振荡模块包括第一、二与非门和第一、二子模块；

所述第一与非门采用三输入与非门，所述第二与非门采用二输入与非门；