[实用新型]一种实现自动化基片传输的MOCVD处理系统

权利要求书

1.一种实现自动化基片传输的金属有机物化学气相沉积处理系统，包括：

具有若干个密封门并保持真空环境的传输室，其内部设置有第一传输装置，所述第一传输装置设置有至少一个可以沿所述传输室所在的平面自由旋转和伸缩的传送臂；

与所述若干个密封门中的至少一个相连接的真空锁，所述真空锁内部设置有至少一个载片盘托架，每个所述载片盘托架上可以放置有一个载片盘，所述载片盘上可以容纳多片基片，所述真空锁用于连接所述传输室和外界大气环境，以在不损失所述传输室内的真空的前提下在外界大气环境和所述传输室之间对所述载片盘进行传输；

沿所述传输室周边设置的至少一个反应室，每一个反应室与所述若干个密封门中的一个相连接，所述每一个反应室内放置至少一个所述载片盘，并对其上的多片基片进行金属有机物化学气相沉积处理；以及

所述第一传输装置的传送臂被设置成在所述真空锁和所述多个反应室之间经过所述密封门传送所述载片盘。

2.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于，所述处理系统还包括与所述真空锁相连接的预装片子系统。

3.根据权利要求2所述的处理系统，其特征在于，所述预装片子系统包括：

基片盒，其内部容纳有多片基片；以及

装片室，其一侧与所述基片盒相连接，另一侧与所述真空锁相连接，所述装片室内设置有第二传输装置、载片盘托架、载片盘以及第三传输装置，所述载片盘放置于所述载片盘托架上，所述第二传输装置设置于所述基片盒和所述载片盘托架之间，用于在二者之间取、放基片，所述第三传输装置设置于所述载片盘托架和所述真空锁之间，用于在二者之间取、放载片盘。

4.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于，所述第一传输装置包括两个可以沿所述传输室所在的平面自由旋转和伸缩的传送臂，所述两个传送臂可以各自单独旋转指向不同的方向，以完成所述载片盘的取放。

5.根据权利要求4所述的处理系统，其特征在于，所述第一传输装置的两个传送臂可以随所述第一传输装置的主轴上下移动，以调整传送臂所指向的平面的高度。

6.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于，所述载片盘上设置有多个基片容纳槽，每一个基片容纳槽内放置一片基片。

7.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于，所述真空锁还包括至少一个升举装置和至少一个载片盘容纳箱，所述多个载片盘托架设置于所述载片盘容纳箱内，其中：

所述升举装置的下端固定于所述真空锁下表面，其上端固定于所述载片盘容纳箱的下表面，其可以沿竖直方向上下移动所述载片盘容纳箱，以使得其中的载片盘能够对准设置于所述真空锁和所述传输室之间的密封门并能够通过所述密封门传输至传输室。

8.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于，所述传输室包括多个连接面，每个连接面设置有两个连接口，所述连接口连接于下列各项的任一项：反应室，真空锁，预装片子系统，热退火腔室，清洁腔室，基片热处理腔室。

9.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于，所述传输室大体呈四方形，所述真空锁连接于所述四方形的一边，所述四方形的其他边的位置处分别连接有所述多个反应室。

10.根据权利要求9所述的处理系统，其特征在于，所述四方形的其他边的位置处分别各连接有两个反应室。

11.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于，所述每一个反应室内同时可以容纳至少两个所述载片盘。

12.根据权利要求1所述的处理系统，其特征在于，所述处理系统还包括一个连接于所述传输室的若干个密封门中的至少一个的基片热处理腔室，用于对所述基片进行降温或预加热处理。