[实用新型]一种整流二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子器件，特别涉及一种整流二极管。

背景技术

整流器，特别是半导体整流器，是电子技术中应用非常广泛的电子器件。半导体整流器一般由整流二极管构成，一只整流器通常采用4只整流二极管连接成桥式整流电路构成。在半导体制造工艺中，整流二极管是由芯片构成的，芯片中的P区和N区接触区就是PN结，是二极管实现其功能(单向导电性)的所在。现有技术整流二极管的PN结是在一块本征芯片中，在其正面和背面掺以不同的杂质，使其一面成为P型半导体，另一面成为N型半导体，在交界处就形成了一个PN结，为了满足二极管的电性能要求，芯片厚度一般要达到0.25～0.27mm。图1示出了现有技术的整流二极管结构示意图，包括芯片20和引出电极23、24。图1以剖视图的形式示出了整流二极管结构，它是在厚度D大于0.25mm的本征半导体芯片20正面扩散P型杂质形成P区21，背面扩散N型杂质形成N区22，P区21与N区22的交界处形成PN结，这就构成了一只二极管。图1中P区引出电极23和N区引出电极24，分别从芯片20的两面(正面和背面)引出。如果需要4只二极管连接成桥式整流电路，各引出电极还应与位于同一面的引线框架(图中为示出)连接，将4只二极管接成桥式整流电路。从图1可以看出，现有技术的整流二极管，管芯厚度(包括芯片及其电气连接部分的厚度)为：h+D+h，其中：h约为0.5mm，D至少为0.25mm，即管芯厚度至少为1.25mm。现有技术整流二极管存在的主要缺点是：由于采用芯片两面扩散的工艺形成PN结，要求芯片厚度D要大(≥0.25mm)，不利于产品的小型化；芯片两面都有电极和引线框架进一步增加了厚度，并增加了电路连接工艺复杂程度，而且在后续的封装工序中，芯片不能与外侧散热片直接接触，散热效果也会受到影响。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题，就是针对现有技术整流二极管芯片厚度大，不利于产品小型化的缺点，提供一种平面结构的整流二极管，降低整流二极管厚度。

本实用新型解决所述技术问题，采用的技术方案是，一种整流二极管，包括芯片和引出电极，所述芯片具有P区、N区及其形成的PN结，所述引出电极分别与P区和N区相连，其特征在于，所述P区和N区并排于所述芯片同一面，所述P区和N区横向相交形成PN结，所述引出电极位于所述芯片同一面。

进一步的，所述P区和N区厚度相同。

进一步的，所述P区和N区厚度与芯片厚度相同。

进一步的，所述P区或N区为所述芯片的一部分。

推荐的，所述芯片厚度＜0.25mm。

优选的，所述芯片厚度＝0.20mm。

本实用新型的有益效果是，降低了整流二极管厚度，有利于产品的小型化，引出电极位于芯片同一面，降低了芯片焊接工艺的复杂性。

附图说明

图1是现有技术整流二极管结构示意图；

图2是本实用新型整流二极管结构示意图。

其中：1为引线框架；20为芯片；21为P区；22为N区；23为P区引出电极；24为N区引出电极。

具体实施方式

下面结合附图及实施例，详细描述本实用新型的技术方案。

本实用新型的整流二极管中，包括芯片和引出电极。芯片中，P区和N区并排于所述芯片同一面，P区和N区横向相交形成PN结。P区和N区引出电极位于芯片同一面并分别与P区和N区相连。在半导体制造工艺中，其PN结是在一片P型(或N型)半导体芯片正面，扩散N型(或P型)杂质构成。芯片中没有进行杂质扩散的部分即为整流二极管的P区(或N区)，扩散了杂质的部分形成整流二极管的另一导电区——N区(或P区)。P区和N区横向相交就形成了PN结，P区和N区的引出电极也位于芯片正面，芯片背面没有引出电极。可以在纯平面的芯片背面沉积一层硅绝缘层作为绝缘隔离层，并进行金属化处理形成一层金属膜，然后再在金属膜上焊接一片无氧铜片作为散热器，可以实现芯片和散热器一体化封装，芯片与无氧铜片直接紧密结合(忽略绝缘隔离层)，既简化了生产流程，又提高了散热能力。用这种结构的整流二极管构成的整流器，4只芯片的引出电极都可以在同一面与引线框架连接，可以大大降低焊接工艺复杂性，提高生成效率，降低产品成本。

实施例1