[实用新型]光盘薄膜制备中磁控溅射靶材装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射薄膜制备装置，尤其涉及用于单面双层DVDR9光盘薄膜制备的磁控溅射靶材装置。 

背景技术

在光盘薄膜制备时，先将溅镀腔抽真空达到设定值，将盘片放入腔内，真空腔内盘片会被抽真空至高真空10E-4mbar范围，注入氩气到溅镀腔，这时溅镀腔的真空度降至10E－3mbar范围，然后对靶材（阴极）和盘片（阳极）之间施以几百伏特的直流电压，使氩气在电场中被离子化，产生氩离子及自由电子；在电场的作用下，带正电荷的氩离子向阴极（靶材）加速，而自由电子向阳极加速，被加速的氩离子和自由电子撞向其他氩原子，因动能转移使更多的氩原子被离子化，最后产生雪崩现象。当靶材原子获得足够动能，它们会脱离靶材表面并自由地在溅镀腔内移动，最后覆盖于盘片及腔内其他表面。上述溅镀过程适用于均匀溅镀膜层。在DVD9R光盘生产过程中，要求溅镀的膜层在盘片由里向外逐渐变薄，以使光穿透率逐渐增高，而传统的平面靶材溅镀出的盘片内外圈膜层厚度一致，不能满足穿透率在盘片外圈逐渐升高的要求。

发明内容

本实用新型的目的,就是要提供一种磁控溅镀靶材装置，使得薄膜在外圈形成的厚度渐薄，以改变盘片在外圈的光穿透率，使光穿透率逐渐升高之目的。

本实用新型的解决方案是：磁控溅射靶材装置内面为凹形，内底面由中心至外逐渐呈下坡，也就是分为四个区域：靶材中心孔区为凸起区域，为非有效工作区，再向外的区域为平面区，使溅镀膜层厚度均匀一致，再向外的区域设计为增大区，该区域与盘片的距离逐渐增大，从而影响盘片中、外部的溅镀层的厚度，使得盘片中部和外部的光穿透率曲线形状发生改变，最后为金属挡板区，阻挡靶材薄膜的沉积，获得穿透率在基片外圈逐渐升高的金属膜层，并在靶材背面设计成梯形结构，减小挡板区体积，以节省用材成本。本实用新型由于在磁控溅射靶材装置内凹面采用渐下坡阶梯型，靶材工作区域为非平面形状，在外圈逐渐增大与盘片的距离，改变了盘片中、外部的溅镀层厚度，使得薄膜形成的厚度由内至外逐渐变薄，从而改变了光穿透率，使光穿透率在盘片上由内至外逐渐升高，达到梯度溅射的目的。

附图说明

图1 为磁控溅射靶材装置的结构示意图，并作为摘要附图；

图2 为磁控溅射靶材装置剖视图。

具体实施方式

如图1、图2所示，靶材内凹面的中心孔区1半径R=16mm以内为凸起区域，该区域为非有效工作区，防止镀层在盘片中心孔区沉积；靶材平面区2半径 R=16mm至R=45mm范围内，为平面区，该区域保持平面结构，处于盘片的内圈，使盘片内圈溅镀膜层厚度均匀一致；靶材增大区3半径R=45mm处至R=58mm范围内，为距离增大区，该区域为梯形结构，由内至外靶材表面与盘片的距离逐渐增大，这会影响盘片中、外部的溅镀层的厚度，使得盘片中部和外部的光穿透率曲线形状发生改变，达到梯度溅射的目的；金属挡板区4在盘片半径为R=58mm处阻挡靶材薄膜的沉积，获得穿透率在基片外圈逐渐升高的金属膜层，挡板区正面为梯形结构，用以阻挡靶材薄膜在盘片最外圈的沉积，背面为阶梯形结构，以减小挡板区体积，以提高设备利用率。