[实用新型]高强度气体放电灯高功率因数电子镇流器

权利要求书

1.一种高强度气体放电灯高功率因数电子镇流器，包括滤波整流电路、功率因数校正及升压电路、辅助电源电路、采样电路、逆变电路、振荡驱动电路、谐振电路和保护电路；所述功率因数校正及升压电路与所述滤波整流电路的输出端耦接；所述辅助电源电路与功率因数校正及升压电路连接，用于分别向所述采样电路、所述保护电路和所述振荡驱动电路提供直流电；所述采样电路的输入端与功率因数校正及升压电路耦接，用于采集功率因数校正及升压电路的输出电压信号以及高强度气体放电灯的灯电流信号；所述逆变电路与采样电路的第一输出端耦接；所述振荡驱动电路和所述谐振电路均与逆变电路耦接；所述保护电路分别与所述功率因数校正及升压电路和所述振荡驱动电路耦接；其特征在于，

所述电子镇流器还包括一恒功率控制电路，该恒功率控制电路与所述保护电路耦接；该恒功率控制电路包括磁放大器、磁放大器控制电路和供电电路；所述磁放大器的初级绕组与所述谐振电路串联，该磁放大器的控制绕组的一端与所述磁放大器控制电路耦接，另一端与所述供电电路耦接；

所述采样电路的第二输出端输出一与采样的灯电流成正比的控制电信号，所述磁放大器控制电路根据该控制电信号，控制流过所述控制绕组的直流电流相对于所述灯电流成反比例变化。

2.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，所述逆变电路为半桥逆变电路；

该电子镇流器还包括一隔直流电路，该隔直流电路设置在所述半桥逆变电路与所述谐振电路之间，隔直流电路的输入端与半桥逆变电路耦接，输出端与谐振电路耦接。

3.如权利要求2所述的电子镇流器，其特征在于，所述隔直流电路由一电容器组成。

4.如权利要求3所述的电子镇流器，其特征在于，该电子镇流器还包括：

计时电路，耦接于所述磁放大器控制电路，用于在计时时间达到一预定的时间时，使磁放大器控制电路控制流过所述控制绕组的直流电流为零。

5.如权利要求4所述的电子镇流器，其特征在于，所述采样电路包括一霍尔闭环直流电流传感器。

6.如权利要求1至5中的任何一项所述的电子镇流器，其特征在于，所述磁放大器控制电路包括第一NPN晶体管(Q5)、第二NPN晶体管(Q6)、PNP晶体管(Q7)、第一电阻(R32)、第二电阻(R33)、第三电阻(R35)和第四电阻(R34)；所述第一NPN晶体管(Q5)的基极输入电压大小与所述采样电路的第二输出端输出的控制电信号大小成正比，集电极与第二NPN晶体管(Q6)的基极耦接，发射极接地；所述第二NPN晶体管(Q6)的集电极与PNP晶体管(Q7)的基极耦接，发射极与PNP晶体管(Q7)的集电极共接后接地；所述第一电阻(R32)的一端与第一NPN晶体管(Q5)的基极耦接，另一端接地；所述第二电阻(R33)的一端与第二NPN晶体管(Q6)的基极耦接，另一端接地；所述第三电阻(R35)的一端与第二NPN晶体管(Q6)的基极耦接，另一端与第五电阻(R36)串接后与磁放大器的控制绕组的一端耦接，磁放大器的控制绕组的另一端与PNP晶体管(Q7)的发射极耦接；所述第四电阻(R34)跨接在NPN晶体管(Q6)的集电极与PNP晶体管(Q7)的发射极之间。

7.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，所述采样电路的第一输出端输出一与采样的功率因数校正及升压电路的输出电压信号成正比的控制电信号，所述磁放大器控制电路根据该与采样的功率因数校正及升压电路的输出电压信号成正比的控制电信号，控制流过所述控制绕组的直流电流相对于所述功率因数校正及升压电路的输出电压信号成反比例变化。