[实用新型]用于软误差率加速测量的测试板

说明书

技术领域

本实用新型涉及用于软误差率加速测量的装置，具体涉及一种用于软误差率加速测量的测试板。

背景技术

随着互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的尺度减小，存储元件中的电容量也减小了，导致带电粒子干扰敏感性提高，而这些粒子所造成的干扰被称为软误差。引起软误差的源包括α粒子、宇宙射线和热中子等。

产品的软误差率(SER-Soft Error Rate)测试是产品可靠性测试中常规测试项目，用于测试产品在放射性粒子的照射下产品的软误差率。测量半导体器件对软误差的敏感度有多种方法，其中，一种方法是加速测量(以下称为软误差率加速测量)，另一种方法涉及系统级测量。由于，系统软误差率测量成本相当昂贵，所以软误差率加速测量方法被广泛采用。

在软误差率加速测量中，放射性粒子主要采用α-粒子，放射源主要采用Am241(432.7-yr)，适用的产品封装类型包括CABGA144封装件等。

根据JEDEC(固态技术协会，它是固态及半导体工业界的一个标准化组织，并且它所制定的标准为全行业所普遍接受和采纳)的要求，在软误差率加速测量中，如果被测芯片与放射源(例如α放射源)的距离小于1mm，可以不考虑通量，因此为了能够更准确地通过软误差率加速来测量测试产品的软误差率，需要将被测试芯片与放射源的距离控制在1mm以内。

但是，在传统的软误差率加速测量过程中，如图1所示，开封后的被测芯片封装件10首先被置于测试插座30内；然后，α放射源20被直接放置于测试插座30上；由于开封后的被测芯片封装件10在测试插座30内，开封后暴露出来的被测芯片50与测试插座30上的α放射源20的距离大致等于：测试插座30上的α放射源20与测试插座30中开封后的被测芯片封装件10的上表面之间的距离，即第一距离H加上被测芯片封装件10的上表面到被测芯片封装件10中的被测芯片50之间的距离，即第二距离h(即，开封后暴露出来的被测芯片50与测试插座30上的α放射源20的距离大致等于第一距离H+第二距离h)。由于一般情况下第一距离H已经远远大于1mm，所以被测芯片50与测试插座30上的α放射源20的距离远远大于1mm；这将极大的影响产品的软误差率加速测量的精准性，并且同时也不能满足JEDEC对产品的软误差率加速测量所规定的相关要求。

因此，希望开发出一种新的用于软误差率加速测量的装置，使得被测芯片50和α放射源20之间的距离能够小于1mm。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的被测芯片和α放射源之间的距离过大的问题，本实用新型的目的在于提供一种用于软误差率加速测量的测试板，使得被测芯片和放射源之间的距离大大减小，进而提高软误差率加速测量的精度。

为了达到上述的目的，本实用新型提供一种一种用于软误差率加速测量的测试板，包括表面贴装基板，其特征在于，在表面贴装基板上布置有焊盘、测试针孔、以及定位孔。

上述用于软误差率加速测量的测试板，其中，焊盘焊接封装件的引脚和/或焊球。

上述用于软误差率加速测量的测试板，其中，测试针孔与测试针和/或测试线连接。

上述用于软误差率加速测量的测试板，其中，定位孔定位封装件的引脚和/或焊球与焊盘的焊接。

上述用于软误差率加速测量的测试板，其中，焊盘位于表面贴装基板的中间区域。

上述用于软误差率加速测量的测试板，其中，焊盘等距排列。

上述用于软误差率加速测量的测试板，其中，测试针孔位于表面贴装基板的周边区域。

上述用于软误差率加速测量的测试板，其中，测试针孔均匀分布且等距排列。

上述用于软误差率加速测量的测试板，其中，定位孔位于焊盘和测试针孔之间。

本实用新型的用于软误差率加速测量的测试板提供了一种表面贴装基板，使得被测芯片封装件可放置在表面贴装基板上，这样就可以将放射源直接置于测试芯片的上表面，从而使得被测芯片封装件中的被测芯片与α放射源之间的距离极大缩小，进而提高软误差率加速测量的精度。

附图说明

本实用新型的由以下的实施例及附图给出。

图1是现有技术中用于进行软误差率加速测量的装置的示意图。

图2是根据本实用新型实施例的用于进行软误差率加速测量的表面贴装基板的俯视图。

图3是本实用新型实施例中的对被测芯片封装件进行软误差率加速测量的总体结构的示意图。

附图并非按比例绘制，而仅仅用于说明本实用新型。

具体实施方式