[实用新型]一种单晶生长热系统的煅烧处理装置无效

专利信息
申请号: 201020500909.0 申请日: 2010-08-23
公开(公告)号: CN201857439U 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 施承启;胡如权;李海波 申请(专利权)人: 上海卡姆丹克太阳能科技有限公司;卡姆丹克太阳能(江苏)有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 季申清
地址: 201314 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长 系统 煅烧 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种单晶生长热系统的煅烧处理装置,其特征在于:

在矩形框架的机架(3)上方固定设置一个圆筒形或矩形,包括炉身(1b)、炉盖(1a)和炉底(1c)的炉体(1),炉体(1)内的体积大于等于包括石墨器件、保温层的一套单晶炉热系统外形尺寸;

炉底(1c)放置在垫板(7)上,垫板(7)的下部安装两排滚轮(8),并放置在托板(9)上,托板(9)由升降机构驱动可上下移动,向下可移动至机架(3)的底部;与托板(9)位于机架(3)底部的位置相平齐,横向平行设置两根与两排滚轮(8)相对应的导轨(12);托板(9)上的滚轮(8)由横向驱动机构驱动可在导轨(12)上作水平移动;

在炉体(1)内炉身(1b)、炉盖(1a)和炉底(1c)上分别设置棒状电加热器(14);

炉体(1)的炉身(1b)、炉盖(1a)和炉底(1c)由金属外壳和保温层组成;

炉盖(1a)上设有充气孔、测温孔及炉盖压紧锁口;

所述装置采用真空泵及增压泵(10)、减速电机、电加热器(14),由控制器(13)经包括温度传感器、真空压力传感器、时间继电器、行程开关对装置运行进行控制。

2.根据权利要求1所述单晶生长热系统的煅烧处理装置,其特征在于所述炉体(1)内为圆筒形,内径为1000—1200mm,高度为1000—1200mm。

3.根据权利要求1所述单晶生长热系统的煅烧处理装置,其特征在于所述升降机构为,托板(9)的四角嵌入螺母,与由升降减速电机(4)同步驱动的四根丝杆(5)组成上下移动的移动装置。

4.根据权利要求1所述单晶生长热系统的煅烧处理装置,其特征在于所述横向驱动机构为,在垫板(7)上固定横向减速电机(11),横向减速电机(11)的输出轴经转向传递,与一组滚轮(8)固定连接。

5.根据权利要求1所述单晶生长热系统的煅烧处理装置,其特征在于所述炉底(1c)下部经减震弹簧(6)固定在垫板(7)上。

6.根据权利要求1所述单晶生长热系统的煅烧处理装置,其特征在于所述炉体(1)电加热器(14)为石墨碳棒连接成三相发热体,电加热器(14)的温度为1600-2000℃。

7.根据权利要求1所述单晶生长热系统的煅烧处理装置,其特征在于所述炉体(1)由隔层内通冷却水的不锈钢双层金属外壳和石墨毡保温层组成。

8.根据权利要求1所述单晶生长热系统的煅烧处理装置,其特征在于在所述炉体(1)内设置可移动的搁置支架。

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