[实用新型]一种组合式X射线高低能线阵探测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种组合式X射线高低能线阵探测器。

背景技术

X射线安检设备用的探测器主要由光二极管和闪烁体线阵组成，二者通过光学导电胶粘接在一起。高、低能探测器的闪烁体厚度不同，对CsI材料的晶体，低能探测器的闪烁体厚度约为0.3mm，高能探测器的闪烁体厚度通常为几个毫米，取决于X射线源的能量。目前商用产品的高低能线阵探测器的光二极管线阵及闪烁体线阵组合体的组合方式有下面两种：一种是高、低能探测器的闪烁体101a、102a分别位于封装板103a、104a的左右两侧，高、低能封装板金属排针105a之间的距离相同，然后将两个封装板紧密的贴在一起，中间加上一层铜吸收片108a（如图1a所示），这种封装方式在生产过程对高、低能探测器粘在一起的要求很高，成品率比较低，而且在维护的时候，必须把高、低能两个组探测器同时换掉；另外一种方式是高、低能探测器的闪烁体101b、102b分别位于封装板103b、104b的同一侧，高、低能探测器封装板的金属排针105b、106b之间的距离不同，在安装的时候分别位于数据采集板107b的两侧(如图1b所示)，在实际产品生产过程中，探测器安装及售后服务时探测器更换都很麻烦。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种组合式X射线高低能线阵探测器，以克服现有设计成品率低、安装及售后服务复杂等不足。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现：

一种组合式X射线高低能线阵探测器，包括高能线阵探测器和低能线阵探测器，所述高能线阵探测器位于低能线阵探测器的下方，高能线阵探测器包括第一光二极管线阵，所述第一光二极管线阵的下表面设有厚闪烁体线阵，第一光二极管线阵的上表面设有第一封装板，第一封装板的两侧对称设有第一金属排针引脚；所述低能线阵探测器包括第二光二极管线阵，所述第二光二极管线阵的上表面设有薄闪烁体线阵，第二光二极管线阵的下表面设有第二封装板，第二封装板的两侧对称设有第二金属排针引脚。

所述第二封装板的下表面胶粘铜吸收片。

所述第一金属排针引脚和厚闪烁体线阵位于第一封装板的同一侧。

所述第二金属排针引脚和薄闪烁体线阵分别位于第二封装板的两侧。

本实用新型的有益效果为：在使用过程中高、低能线阵探测器就可以放在数据采集板的同一侧，极大的方便了安检设备的探测器安装及售后服务时探测器的更换。

附图说明

下面根据附图对本实用新型作进一步详细说明。

图1a是现有高低能线阵探测器的剖视图之一；

图1b是现有高低能线阵探测器的剖视图之二；

图2是本实用新型实施例所述的一种组合式X射线高低能线阵探测器的使用状态图；

图3是本实用新型实施例所述的一种组合式X射线高低能线阵探测器的高能线阵探测器的剖视图；

图4是本实用新型实施例所述的一种组合式X射线高低能线阵探测器的低能线阵探测器的剖视图。

图中：

101a、闪烁体；101b、闪烁体；102a、闪烁体；102b、闪烁体；103a、封装板；103b、封装板；104a、封装板；104b、封装板；105a、金属排针；105b、金属排针；106b、金属排针；107b、数据采集板；108a、铜吸收片；21、高能线阵探测器；211、第一光二极管线阵；212、厚闪烁体线阵；213、第一封装板；214、第一金属排针引脚；22、低能线阵探测器；221、第二光二极管线阵；222、薄闪烁体线阵；223、第二封装板；224、第二金属排针引脚；23、数据采集板；24、铜吸收片。

具体实施方式

如图2-4所示，本实用新型实施例所述的一种组合式X射线高低能线阵探测器，包括高能线阵探测器21和低能线阵探测器22，所述高能线阵探测器21位于低能线阵探测器22的下方，高能线阵探测器包括第一光二极管线阵211，所述第一光二极管线阵211的下表面设有厚闪烁体线阵212，第一光二极管线阵211的上表面设有第一封装板213，第一封装板213的两侧对称设有第一金属排针引脚214；所述低能线阵探测器22包括第二光二极管线阵221，所述第二光二极管线阵221的上表面设有薄闪烁体线阵222，第二光二极管线阵221的下表面设有第二封装板223，第二封装板223的两侧对称设有第二金属排针引脚224。所述第二封装板223的下表面胶粘铜吸收片24。所述第一金属排针引脚214与厚闪烁体线阵212位于第一封装板213的同一侧。所述第二金属排针引脚224与薄闪烁体线阵222位于第二封装板223的两侧。所述第一封装板213和第二封装板223为PC或陶瓷封装板。

如图2所示，本实用新型实施例所述的高能线阵探测器21和低能线阵探测器22可单独使用，也可以组合使用。为了方便高能线阵探测器21和低能线阵探测器22组合到一起，设计的高能探测器封装板和金属排针的尺寸要比低能探测器的小，高低能探测器位于数据采集板23的同一侧，X射线穿透低能线阵探测器22后，通过铜吸收片24进入高能线阵探测器21。