[实用新型]一种LED器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种LED器件，具体的说，涉及一种非平行封装的LED器件，属于LED芯片制造、封装及LED照明领域。

背景技术

近几年随着世界范围内的节能环保概念兴起，LED芯片技术得到迅猛发展，氮化物半导体LED芯片发光效率提高很快，以蓝光LED芯片作为激发源的白光LED单灯光源效率已达到130流明/瓦以上，已经远远超过了普通节能灯的光效，LED技术开始全面进入通用照明市场；随着LED应用范围的进一步扩大，对LED器件发光效率的要求也越来越高。

如图1所示，现有的蓝光LED芯片11包括：由Al₂O₃晶体材质的蓝宝石、SiC、Si或GaN晶体材料构成的衬底1，GaN半导体缓冲层2，n型Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)半导体层3，GaN/In_yGa_1-yN(0≤y≤1)量子阱结构光发射层4和p型Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)半导体层5，其中，衬底1的厚度为20-450微米，n型半导体结构3可以由一层Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)材料层或多层不同组份的Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)材料层构成，光发射层4可以由一对或多对量子阱结构构成，p型半导体层5可以由一层Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)材料层或多层不同组份的Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)材料层构成，n型半导体层3、光发射层4和p型半导体层5的总共厚度为1-10微米。

在蓝光LED芯片11中，芯片各结构层中朝向衬底1的界面为该层结构的下表面，该层结构中与下表面平行的另一界面为上表面，结构层如果由多层半导体材料构成，则每一层材料的下表面和上表面定义同上，芯片各结构层或多层半导体材料其它方向的界面定义为芯片各结构层或半导体材料层的侧面。LED芯片中光发射层4所发出的光分布在芯片各个方向上，其中射向芯片的上表面和下表面的出射光占了整体发光的75％以上。

如图2所示，目前的LED芯片制造、封装所采用的方式都是将芯片11平行封装在封装平台10上，即芯片11的下表面与封装平台10的表面平行贴合，芯片11的下表面的法线方向与封装平台10表面的法线方向平行，在这种情况下，射向芯片11下表面与封装平台10交界面的光将被封装平台10所遮挡，造成光损失。为有效地利用出射光，减少光损，目前，常用的方法是在芯片11衬底的下表面制作出高反射率的反射镜，将射向衬底下表面的出射光反射后再利用，这一方法虽然可以减小光的损失，但是由于反射镜反射率的限制和反射光在芯片中的损耗，仍然不能达到最佳的效果。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是针对以上不足，提供一种LED器件，这种LED器件能够充分利用LED芯片衬底方向的出射光，出光效率高。

为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种LED器件，所述LED器件包括芯片和承载芯片的封装平台，其特征在于：所述芯片上表面的法线与封装平台上表面的法线之间具有15°到165°的夹角。

作为上述技术方案的进一步改进：

所述封装平台上设有光学平台，芯片设置在光学平台上。

所述芯片上表面的法线与光学平台上表面的法线平行。

所述光学平台上表面的法线与封装平台上表面的法线平行。

所述封装平台上设有第一光学聚光反射腔，第一光学聚光反射腔的内壁上设有第一光学反射膜。

所述封装平台上设有第一凹槽。

所述封装平台上设有第一光学聚光反射腔，第一光学聚光反射腔的内壁上设有第一光学反射膜，第一凹槽设置在第一光学聚光反射腔内。

所述光学平台上设有第二光学聚光反射腔，第二光学聚光反射腔的内壁上设有第二光学反射膜。

所述光学平台上设有第二凹槽。

所述光学平台上设有第二光学聚光反射腔，第二光学聚光反射腔的内壁上设有第二光学反射膜，第二凹槽设置在第二光学聚光反射腔内。