[实用新型]磁场传感器芯片

权利要求书

1.一种磁场传感器芯片，其特征在于，包括：

磁阻传感器；

霍尔传感器；

控制集成电路，所述控制集成电路与所述霍尔传感器处于同一层，并围绕所述霍尔传感器，所述控制集成电路接收并处理所述磁阻传感器和霍尔传感器的输出信号。

2.如权利要求1所述的磁场传感器芯片，其特征在于，所述控制集成电路包括电源偏置电路和信号处理电路；所述电源偏置电路向所述磁阻传感器和霍尔传感器输出偏置信号，以开启或关闭所述磁阻传感器和霍尔传感器；所述信号处理电路接收并处理所述磁阻传感器和霍尔传感器的所述输出信号。

3.如权利要求2所述的磁场传感器芯片，其特征在于，所述控制集成电路进一步包括时序控制电路和信号选通电路；所述时序控制电路向所述电源偏置电路输出偏置控制信号，所述偏置控制信号对所述电源偏置电路输出的所述偏置信号进行控制；所述磁阻传感器和霍尔传感器向所述信号选通电路输出各自的输出信号；所述时序控制电路向所述信号选通电路和信号处理电路输出选通控制信号，所述选通控制信号控制所述信号选通电路输出所述磁阻传感器和霍尔传感器的输出信号之一，并控制所述信号处理电路处理由所述信号选通电路输出的该输出信号。

4.如权利要求1至3中任一项所述的磁场传感器芯片，其特征在于，所述磁场传感器芯片还包括位于所述磁阻传感器与所述同一层之间的钝化隔离层。

5.如权利要求4所述的磁场传感器芯片，其特征在于，所述钝化隔离层设有接触孔，所述磁阻传感器具有连接线，所述磁阻传感器通过所述连接线和接触孔与所述控制集成电路电连接。

6.如权利要求4所述的磁场传感器芯片，其特征在于，所述霍尔传感器位于所述控制集成电路的中心位置。

7.如权利要求4所述的磁场传感器芯片，其特征在于，所述霍尔传感器呈对称结构。 

8.如权利要求4所述的磁场传感器芯片，其特征在于，所述磁阻传感器是蛇形导体结构构成的惠斯通电桥，且相邻的所述导体结构彼此垂直。

9.如权利要求8所述的磁场传感器芯片，其特征在于，所述导体结构旁设有屏蔽条。