[实用新型]大容量硅晶片承载装置有效
申请号: | 201020285465.3 | 申请日: | 2010-08-09 |
公开(公告)号: | CN201780983U | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 成鹏;刘嘉 | 申请(专利权)人: | 深圳市明鑫高分子技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518013 广东省深圳市宝安区沙井*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 容量 晶片 承载 装置 | ||
1.一种大容量硅晶片承载装置,包括相互平行的两块端板、相互平行的固定于两块端板上位于两块端板之间并与该两块端板垂直的至少两根限位杆以及固定于两块端板上位于所述限位杆下方与所述限位杆平行的至少一根用于支承硅晶片的支撑杆,所述限位杆内侧面均开设有用以装卡硅晶片的牙口;所述两块端板上部之两侧均开设有夹卡本装置的卡勾,其特征在于:所述限位杆和支撑杆均有两层,外层为保护层(102)、内层为承重层(101)。
2.根据权利要求1的大容量硅晶片承载装置,其特征在于:在所述两块端板的下端均开设有同心孔(8)。
3.根据权利要求2的大容量硅晶片承载装置,其特征在于:所述两块端板是第一端板(1)和第二端板(2),在第一端板(1)同心孔(8)周边有3个小孔均布。
4.根据权利要求1的大容量硅晶片承载装置,其特征在于:所述装卡硅晶片的牙口(6)采用椭圆设计,平滑过渡,相应两个牙口的距离等于所承载的硅晶片的标称宽度+0.5mm。
5.根据权利要求1的大容量硅晶片承载装置,其特征在于:所述至少两根限位杆是第一限位杆(3)、第二限位杆(4),在第一限位杆(3)、第二限位杆(4)与支撑杆(5)之间有与所述第一限位杆(3)和第二限位杆(4)平行的且分别位于第一限位杆(3)、第二限位杆(4)的正下方的第三限位杆(9)和第四限位杆(10)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的