[实用新型]发光二极管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电子技术，尤其涉及发光二极管芯片。

背景技术

半导体照明正快速的进入通用照明，目前的主要障碍是高成本，另外，扩展产能需要巨额资金。向发光二极管(以下简称“LED”)芯片输入大电流是快速降低LED芯片成本、减少巨额投资的重要方法，因此需要能引入大电流的LED芯片。

目前横向结构的LED芯片中，半导体外延层中的P-打线焊盘直接连接到透明电极上，这样，外部电流从P-打线焊盘直接流到透明电极上，进而流到P-类型限制层。由于P-打线焊盘的区域面积集中，因此，如果向LED芯片引入大电流，那么，外部电流就会在P-打线焊盘下方形成电流拥塞。

实用新型内容

本实用新型提供一种LED芯片，能够避免电流拥塞。

本实用新型提供的LED芯片，包括：生长衬底、半导体外延层和透明电极，其中，半导体外延层包括N-类型限制层、活化层、P-类型限制层，其特征在于，该LED芯片还包括：半导体外延层半通槽、钝化层、P-打线焊盘及至少一个P-条形电极；其中，

半导体外延层半通槽穿过透明电极、P-类型限制层和活化层，底部是N-类型限制层；

钝化层形成在透明电极上并且覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面；

P-打线焊盘形成在所述的钝化层预定的位置上，P-条形电极形成在暴露的透明电极上，P-打线焊盘与P-条形电极电连接。

可选地，所述的P-条形电极为圆弧形。

其中，所述的P-条形电极的个数为3；3条圆弧形的P-条形电极的圆心重合。

较佳地，该LED芯片进一步包括至少一个N-半通槽和N-打线焊盘，其中，N-半通槽形成在所述钝化层的覆盖所述半导体外延层半通槽的底面的预定位置上，使得所述的N-类型限制层在所述的N-半通槽中暴露；N-打线焊盘形成在N-半通槽中暴露的N-类型限制层的预定位置上；

圆弧形的P-条形电极朝向所述N-打线焊盘的边缘上的各点到N-打线焊盘朝向所述P-条形电极的边缘的最短距离相等。

较佳地，所述半导体外延层的P-类型限制层与所述透明电极之间形成有反射层，该反射层的位置、形状和尺寸与所述的P-打线焊盘相对应；

和/或，

所述钝化层和所述透明电极之间形成有反射层，该反射层的位置、形状和尺寸与所述的P-打线焊盘相对应；

和/或，

所述钝化层和所述P-打线焊盘之间形成有反射层，该反射层的位置、形状和尺寸与所述的P-打线焊盘相对应；

和/或，

所述N-类型限制层与LED芯片中的N-打线焊盘之间形成有反射层，该反射层的位置、形状和尺寸与N-打线焊盘相对应。

可选地，所述透明电极和所述P-类型限制层之间形成有电流阻挡层，该电流阻挡层的位置、形状和尺寸与所述的P-打线焊盘相对应。

较佳地，所述透明电极的表面上形成有微结构。

其中，透明电极的表面上的微结构为圆柱形、圆锥形、棱锥形、半球形或球冠形。

可选地，所述钝化层的表面上形成有微结构。

所述钝化层的表面上的微结构为圆柱形、圆锥形、棱锥形、半球形或球冠形。

由以上描述可知，本实用新型的有益效果至少包括：

本实用新型中，P-打线焊盘形成在钝化层上，使得P-打线焊盘不与透明电极直接接触，由于P-条形电极形成在暴露的透明电极上，而P-条形电极与P-打线焊盘电连接，因此，电流通过P-打线焊盘流向P-条形电极，进而流向透明电极和P-类型限制层。由于电流没有从P-打线焊盘直接流向半导体外延层的与P-打线焊盘对应的部分，而是通过形状为条形的P-条形电极流向透明电极，因此，不会在P-打线焊盘的下方形成电流拥塞，能够采用大电流密度驱动，解决了向芯片输入大电流的问题，

进一步地，由于本实用新型中反射层的设置，使得本实用新型提供的LED芯片发出的光通量增加。

进一步地，本实用新型提供的LED芯片中由于P-打线焊盘形成在钝化层上，因此，降低了流明成本，使得LED可以很快地进入普通照明，增强了其实用性；并且，在相同的芯片产能的条件下，提高了流明产能，其中，流明产能＝芯片产能×流明/芯片。本实用新型提供的LED芯片能够引入大电流，节省了巨额的设备投资；并且，在相同的流明产能的条件下，节省了外延生长和芯片工艺的原材料。

附图说明