[实用新型]一种用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种肌电采集装置，具体地涉及一种用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置。 

背景技术

肌电采集装置是经颅磁刺激(Transcranial Magnetic Stimulation，TMS)系统的重要组成部分。 

经颅磁刺激(TMS)技术是一种利用脉冲磁场作用于中枢神经系统(主要是大脑)，改变皮层神经细胞的膜电位，使之产生感应电流，影响脑内代谢和神经电活动，从而引起一系列生理生化反应的磁刺激技术。 

TES技术的原理是法拉第电磁感应定律，即一个随时间变化的磁场(B)可以感生出电场(E)，当可兴奋组织处于变化磁场中时，组织中产生电场和电流。具体为：TMS在一组高压大容量的电容上充电，用电子开关向磁刺激线圈放电，在0.2ms内流过数千安培的脉冲电流，瞬时功率达到几十兆，线圈产生的脉冲磁场峰值可达1-4T。磁场本身不兴奋神经组织，而是感应电流的作用。当产生的电流超过组织的兴奋阈值时，像电刺激一样，引起细胞膜局部去极化，引起组织兴奋或抑制，产生一系列生理生化反应。电刺激和磁刺激的原理基本相同，都是基于组织的可电兴奋性。 

根据TMS刺激脉冲不同，可以将TMS分为三种刺激模式：单脉冲TMS(sTMS)、双脉冲TMS(pTMS)，以及重复性TMS(rTMS)。 

单脉冲是指手动控制每次只能发出一个刺激脉冲，这里的每次是指按下发射按钮或开关一次。这类磁刺激器也就是常说的TMS，主要使用在神经通路的检测-运动诱发电位(Motion Evoked Potentiasl，MEP)。 

pTMS需要一个刺激器在同一个刺激部位连续给予两个不同强度的刺激，或者在两个不同的部位应用两个刺激器(又称作double2coil TMS，dTMS)。 

rTMS则需要特殊的设备在同一个刺激部位给出慢rTMS(1Hz或更慢)或快rTMS(5-25Hz)的刺激脉冲。 

目前医院通常的治疗办法是：先根据病人的病症推断需要刺激病人头部的大致区域，通过单刺激和肌电采集装置的结合使用，检测病人的MEP，找到可以产生MEP的部位及最低的刺激强度，再进行阈上或阈下刺激(重复刺激)治疗。 

因此，可以看出肌电采集装置在经颅磁刺激系统治疗中起到了非常关键的作用，而且由于经颅磁刺激系统的特殊性，需要肌电采集装置有着很高的抗干扰和抗高压性能力，目前市场上已有的经颅磁刺激仪，有的是仪器本身配置了肌电采集功能，但其抗干扰能力特别差，医生往往采集不到信号；有的则是需要结合市面上的肌电仪一起使用，不仅需要考虑兼容性，而且给医院增加了更多的采购成本。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置，以克服公知技术中存在的缺陷。 

为实现上述目的，本实用新型提供的肌电采集装置，包括六个电极，分别为两个活动电极、两个参考电极和两个地，主要构成为： 

六个电极分成相同的两组，每组三个电极构成该抗干扰肌电采集装置的一个通道，六个电极通过数据线与一信号放大部分电路相连； 

该信号放大部分电路连接一信号采集系统。 

所述用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置，其中信号放大部分与信号采集系统之间有四条数据线相连，两条为双通道各自的信号线，一条为地线，一条为电源线。 

所述用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置，其中信号放大部分结构为，由第一个运算放大器模块构成第一级差分输入单端输出的差分放大电路和第二个运算放大器模块构成的第二级增益控制电路；该第二级增益控制电路连接一个光隔离匹配器模块，该光隔离匹配器模块通过光耦隔离器模块后再连接一第三运算放大器模块，该第三运算放大器模块连接信号采集系统。 

所述用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置，其中第一运算放大器模块和第二运算放大器模块型号为LF444；光隔离匹配器模块和第三运算放大器模块型号为OP07；光耦隔离器型号为TLP521模块。 

所述用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置，其中光耦隔离器模块后通过一陷波器/低通滤波器再连接一第三运算放大器模块。 

本实用新型提供的用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置具有非常好的抗干扰和抗高压能力，可以很好的满足医院的要求。 

附图说明

图1为本实用新型的用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置电连接示意图。 

图2为图1中信号放大部分的电连接示意图。 

图3为本实用新型的用于经颅磁刺激仪的抗干扰肌电采集装置电原理图。