[实用新型]一种场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于：该晶体管表面设有第一介质层(8)和第二介质层(9)，所述第二介质层(9)设置于所述第一介质层(8)上。

2.如权利要求1所述场效应晶体管，其特征在于：所述第一介质层(8)和所述第二介质层(9)的材料的介电常数不同，所述第二介质层(9)的材料为低介电常数的材料。

3.如权利要求1所述场效应晶体管，其特征在于：所述第二介质层(9)的材料为介电常数ε＜4的材料。

4.如权利要求1至3中任一项所述场效应晶体管，其特征在于：所述场效应晶体管由下至上依次包括基片(1)、半导体层(3)、隔离层(4)、第一介质层(8)和第二介质层(9)，该场效应晶体管还包括源极(5)、漏极(6)和栅极(7)，所述源极(5)和漏极(6)设置于所述隔离层(4)上且电性连接所述半导体层(3)，所述栅极(3)设置于所述隔离层(4)上，所述栅极(7)位于所述源极(5)和漏极(6)之间。

5.如权利要求4所述场效应晶体管，其特征在于：所述栅极(7)为T型栅极。

6.如权利要求5所述场效应晶体管，其特征在于：所述T型栅极的栅帽接触所述第二介质层(9)。

7.如权利要求4所述场效应晶体管，其特征在于：所述第一介质层为钝化所述场效应晶体管表面态或表面电子陷阱的钝化介质层；所述第二介质层为用于降低器件与空气接触区域的电场、降低空气电离引起的电流崩塌效应的介质层。

8.如权利要求1、2、3、5、6或7所述场效应晶体管，其特征在于：所述第一介质层(8)的材料为GaN、AlN或SiN，所述第二基质层(9)的材料为SiO₂或BCB。

9.如权利要求4所述场效应晶体管件，其特征在于：所述半导体层(3)的材料为氮化物半导体材料，所述隔离层(4)的材料为与所述半导体层(3)的材料形成异质结的半导体材料。

10.如权利要求4所述场效应晶体管，其特征在于：所述基片(1)的材料为蓝宝石、SiC、GaN或Si；所述半导体层(3)和隔离层(4)的材料为 In_xAl_yGa_zN_1-x-y-z，其中0≤x，y，z≤1。