[实用新型]二维微磁仪探头无效
| 申请号： | 201020262514.1 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN201754180U | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陈祝权;续志峰;张红;鲍翔;陈伟丰;徐海红 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维 微磁仪 探头 | ||
【权利要求书】：
1.二维微磁仪探头，其特征在于包括两个霍尔元件和一个探头基体，所述霍尔元件分别安装在探头基体的两个相互垂直的表面。
2.根据权利要求1所述的二维微磁仪探头，其特征在于所述霍尔元件焊接在电路板上，电路板通过过盈配合装在探头基体上。
3.根据权利要求2所述的二维微磁仪探头，其特征在于霍尔元件的管脚与通过焊点与所述电路板上的覆铜电线焊接。
4.根据权利要求3所述的二维微磁仪探头，其特征在于霍尔元件的管脚通过所述电路板上的覆铜电线与微磁仪内部的单片机电连接。
5.根据权利要求1～4任一项所述的二维微磁仪探头，其特征在于所述探头基体为APS塑探头基体。
6.根据权利要求5所述的二维微磁仪探头，其特征在于所述霍尔元件为UGN3503霍尔元件。
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