[实用新型]一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片无效
| 申请号： | 201020258566.1 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN201803985U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 曹忠;戴云林;龙姝;龚福春;谭淑珍;杨荣华 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N27/327;C12Q1/68 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410004 湖南省长沙市雨花*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 dna 分子 检测 延长 场效应 晶体管 传感 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于DNA分子检测的延长栅场效应晶体管传感芯片，其特征在于该传感芯片的场效应晶体管的栅极部分为延长一定距离的结构。
2.根据权利要求1所述的传感芯片，其特征在于所述场效应晶体管栅极部分的延长结构是将栅极延长0.1-40mm的距离，构建延长栅金平板电极(Au)结构。
3.根据权利要求2所述的传感芯片，其特征在于所述延长栅金平板电极(Au)是用铝线(Al)作为导线连接着延长出的金平板电极(Au)，长和宽边长为0.2-1.0mm。
4.根据权利要求2所述的传感芯片，其特征在于所述延长栅金平板电极(Au)结构是通过溅射镀膜的方法在SiO2基底层(4)上按从下往上的顺序分别将铬层(3)、镍铜合金层(2)、金层(1)镀上，厚度分别为：铬层(3)20-200nm，镍铜合金层(2)100-1000nm，金层(1)30-300nm，且金表面非常平整。
5.根据权利要求2所述的传感芯片，其特征是利用化学反应将已巯基化的DNA探针分子自组装在延长栅的金平板电极(Au)上。
6.根据权利要求2所述的传感芯片，其特征是在金平板电极(Au)基底每100nm2面积上可检测到1-10个DNA分子。
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