[实用新型]勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置

说明书

技术领域

本实用新型属于晶体生长设备技术领域，具体涉及一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置。

背景技术

硅晶体生长目前正朝着高纯度，高完整性，高均匀性和大直径方向发展，集成电路特别是极大规模集成电路（60-95nm）对晶体质量有严格的要求。材料中的有害杂质及其不均匀性以及掺杂剂分布的不均匀性是制约单晶质量的主要因素之一,它们会引起材料的光学、电学性能的不均匀性,最终损害半导体器件的光、电学性能。这就要求减少单晶材料的缺陷、杂质含量,提高氧、碳等杂质以及掺杂剂在晶体中分布的均匀性。

晶体生长设备是一种真空高温熔炼设备，为满足大尺寸（12英寸IC级）用硅单晶生长，在现有晶体生长设备中增加了勾型磁场装置，由于所增加的勾型磁场结构安装在主炉室外侧，对装热系统及多晶硅原料的主炉室的开合造成了影响，操作变得非常困难，因此设计一种抓取提升旋转装置，能够适应主炉室的开合，成为一道必需解决的技术问题。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置，解决了配有勾型磁场结构的大直径单晶炉主炉室开合困难的问题。

本实用新型所采用的技术方案是，一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置，包括竖直设立的油缸，油缸的活塞杆上安装有支臂，支臂能够转动到主炉室的上方，支臂包括对称的多根悬臂构成，每个悬臂的外端头设置有一个气缸和抓取摇臂，抓取摇臂的中部铰接在悬臂中，气缸与抓取摇臂的一端连接，抓取摇臂的另一端为勾爪。

本实用新型的抓取提升旋转装置，其特征还在于，所述的支臂由水平设置的轴心对称的三根悬臂构成。

所述的支臂由水平设置的十字形状的四根悬臂构成。

本实用新型的有益效果是，实现了配有勾型磁场结构的大直径单晶炉主炉室的开合操作容易，安全可靠。

附图说明

图1是本实用新型装置的结构示意图；

图2是本实用新型装置的俯视结构示意图。

图中，1.主炉室，2.抓取摇臂，3.气缸，4.支臂，5.油缸，6.凸沿。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。

如图1所示，本实用新型装置的结构是，在主炉室1的旁边设置有油缸5，油缸5的活塞杆上安装有支臂4，该活塞杆上下伸缩时可以带动支臂4上下移动，活塞杆沿水平面转动时，可以带动支臂4旋转到主炉室1的正上方位置，支臂4包括水平设置的轴心对称的三根悬臂构成，每个悬臂的外端头设置有一个气缸3和抓取摇臂2，抓取摇臂2的中部铰接在悬臂中，气缸3与抓取摇臂2的一端（上端）连接，抓取摇臂2的另一端（下端）形状为弯钩向内的勾爪，用于与主炉室1的上端口边缘的凸沿6实现勾挂连接，用来提升主炉室1。支臂4也可以由水平设置的十字形状的四根悬臂构成。

本实用新型的装置工作过程为，需要打开主炉室时，先将支臂4旋转到主炉室1正上方，然后，操作油缸5的活塞杆下降，使得抓取摇臂2到达与主炉室1上端口的凸沿6相勾挂的位置，驱动气缸3伸张使得抓取摇臂2下端勾爪向内进到勾挂位置，与主炉室1的凸沿6勾挂牢靠，再操作油缸5的活塞杆上升，即可提升主炉室1抬升移动，再手动将主炉室1旋转到需要的位置。

需要关闭主炉室时，与上步相反，油缸5通过支臂4将主炉室1旋转到单晶炉的原安装位置正上方，操作油缸5的活塞杆下降，使得主炉室1下降到位，断开气缸3的供气卸压，使得抓取摇臂2下端勾爪向外与主炉室1的的凸沿6脱开，再移开支臂4即可。

本实用新型的装置，打开主炉室和关闭主炉室的过程是双向的，构成一个完整工作循环，可以满足主炉室的抓取、提升、旋转移动的需要，可以对主炉室的移动位置进行精确控制，同时还可实现升降运动速度可调（运动过程时，速度不能调整）。