[实用新型]涂布薄膜设备中防止样品损坏的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种涂布薄膜设备(COT unit)，具体涉及一种涂布薄膜设备中防止样品损坏的装置。

背景技术

现有技术中在金属材料或工件表面获得的具有各种不同性能的薄膜层可以采用物理气相沉积、化学气相沉积、物理化学气相沉积等方法。其中物理气相沉积主要包括真空蒸发涂布薄膜、溅射镀膜及离子涂布薄膜等技术；化学气相沉积主要有化学气相渗涂工艺；物理化学气相沉积多用等离子化学气相沉积技术。

对于涂布薄膜设备来说，其可以对待涂布样品进行涂布、涂光刻胶、匀胶、曝光或刻蚀等加工工序的操作。例如在芯片制造技术领域，待涂布样品为晶圆(Wafer)，而芯片成品是在经过多次从涂布薄膜到刻蚀的工序加工之后，通过切割加工完成的晶圆得到。其中匀胶处理时，涂布薄膜设备需要将晶圆固定，以便使其旋转，对其进行匀胶处理。请参见图1a，为了处理由晶圆104表面甩出去的光刻胶，涂布薄膜设备设有一个桶装状的外圈103，其设置在晶圆104外围，该外圈103还设有提供吸气气流的装置以将由晶圆104表面甩出去的光刻胶吸走，从而同时做到了防止甩出去的光刻胶污染机器或者反弹回晶圆104表面以影响匀胶处理的效果。涂布薄膜设备在晶圆104的下方的中心位置设有一个吸附托架101，其作用是吸附并固定晶圆104。在吸附托架101的外围、外圈103的内侧设有一个上沿平面高度低于所述外圈103的内圈102，其作用是与晶圆104的下表面接触、协助所述吸附托架101稳固晶圆104，使晶圆104在旋转过程中不发生晃动。

在上述芯片加工涂布薄膜设备中，由于内圈102的上沿平面的高度低于外圈103的上沿平面，导致涂布薄膜设备的操作人员无法观测清楚该内圈102的位置情况。参见图1b和图1c，如果内圈102的位置不理想甚至没有安装，在这种情况下对晶圆进行匀胶处理的话，高速自动化运转的涂布薄膜设备就会损坏晶圆，进一步破碎的晶圆还可能对涂布机器造成严重的损伤，造成生产事故。

同样的道理，在其他技术领域的涂布薄膜设备中，基于观察不便的原因，如果待涂布样品在辅助固定装置安装不理想的情况下进行加工处理，都可能造成待测样品甚至涂布薄膜设备本身损坏的严重后果。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的是针对现有技术中涂布薄膜设备中类似于芯片制造技术领域的内圈的辅助固定装置不便于观察，容易发生生产加工事故的技术问题，提供一种涂布薄膜设备中防止样品损坏的装置。

为达到上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种涂布薄膜设备中防止待涂布样品损坏的装置，所述涂布薄膜设备包括样品吸附装置、样品稳固装置和光刻胶处理装置，所述样品吸附装置用来将样品吸住，所述样品稳固装置用来使样品在旋转过程中保持稳定，所述光刻胶处理装置用来将处理样品表面甩出的光刻胶，防止该光刻胶污染样品；该防止待涂布样品损坏的装置包括：

感应装置，设置于所述样品稳固装置下方，包括不同高度位置设置的上感应托盘、下感应托盘以及使所述上、下感应托盘分开的回复力装置，所述下感应托盘固定设置在所述涂布薄膜设备中，在安装样品稳固装置时，所述上感应托盘在所述样品稳固装置重力的作用下，随其下降至与所述下感应托盘相紧靠的位置；

报警装置，与所述感应装置相连接，可根据所述上、下感应托盘的位置状态进行报警。

在上述技术方案中，所述样品为晶圆，所述样品吸附装置为可将晶圆吸住的吸附托架，所述样品稳固装置为内圈，所述光刻胶处理装置为外圈。

在上述技术方案中，所述回复力装置为弹簧。

在上述技术方案中，所述上、下感应托盘为两个磁极相对、相互吸引的磁铁。

在上述技术方案中，所述上、下感应托盘为两个形状相同的环形磁铁。

在上述技术方案中，所述上、下感应托盘的厚度均为1-5毫米(mm)。

在上述技术方案中，所述上、下感应托盘的外径均为8-15毫米(mm)，内径均为3-5毫米(mm)。

在上述技术方案中，在未安装内圈时，所述上、下感应托盘之间的距离为15-25毫米(mm)。

在上述技术方案中，所述报警装置可在所述上、下感应托盘分开时报警，紧靠时停止报警。

本实用新型的涂布薄膜设备中防止待涂布样品损坏的装置具有以下的有益效果：

首先，本实用新型的防止待涂布样品损坏的装置可以通过感应装置来判断样品稳固装置的位置是否正确，并报警装置将判断结果告知涂布薄膜设备操作人员，有效避免意外发生。