[实用新型]一种等离子体浸没离子注入系统有效

专利信息
申请号: 201020247215.0 申请日: 2010-07-05
公开(公告)号: CN201785483U 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 李超波;刘杰;汪明刚;夏洋;罗威;罗小晨;李勇滔 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 王建国
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 浸没 离子 注入 系统
【权利要求书】:

1.一种等离子体浸没离子注入系统,包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分,其特征在于:还包括掺杂源腔室和隔板;

所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。

2.如权利要求1所述的等离子体浸没离子注入系统,其特征在于:所述掺杂源腔室内的气压范围为0.1Pa-1000Pa。

3.如权利要求1所述的等离子体浸没离子注入系统,其特征在于:所述离子注入腔室内的气压范围为0.1mTorr-10mTorr。

4.如权利要求1所述的等离子体浸没离子注入系统,其特征在于:所述隔板上均匀分布若干个圆孔。

5.如权利要求4所述的等离子体浸没离子注入系统,其特征在于:所述圆孔直径大小范围为0.1mm到1mm,所述圆孔面积占空比为5%到30%。

6.如权利要求4所述的等离子体浸没离子注入系统,其特征在于:所述隔板厚度范围为1mm到1cm。

7.如权利要求4所述的等离子体浸没离子注入系统,其特征在于:所述隔板由聚四氟或石墨制成。

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